文献

J-GLOBAL ID：202002227497512723   整理番号：20A1884112

SiO₂/Siマイクロキャビティ上のグラフェンのRaman強度振動

Raman intensity oscillation of graphene over SiO₂/Si micro-cavity

著者 (9件)： Li Qiao (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8571, Japan) ,  Li Qiao (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Zhang Xuefu (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences (CAS), Shanghai 200050, People’s Republic of China) ,  Jiang Da (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences (CAS), Shanghai 200050, People’s Republic of China) ,  Jiang Da (Center for Excellence in Superconducting Electronics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences (CAS), Shanghai 200050, People’s Republic of China) ,  Shingaya Yoshitaka (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Tsuya Daiju (Nanotechnology Innovation Station, Nanofabrication Platform, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Nakayama Tomonobu (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8571, Japan) ,  Nakayama Tomonobu (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 2  ページ： 028001 (4pp)  発行年： 2020年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,Raman散乱強度が,マイクロ作製の二酸化ケイ素/シリコンキャビティ上に浮遊した単層および二重層グラフェン上で空間的に振動することを見出した。CVD成長のグラフェンシートを円形マイクロキャビティに転送し,Gバンドと2DバンドのRamanピークの強度は,同心円パターンを形成する明確な振動を示した。多重ビーム干渉として振動の起源を提案し,理論計算によりモデルを確認した。モデルは,著者らの実験的観察をよく説明し,マイクロキャビティ上に浮遊した2D材料の他のレーザ分光法に適用できる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *微小共振器 ,  *Raman強度 ,  *グラフェン ,  Raman散乱 ,  レーザ分光法 ,  酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  化学蒸着 ,  マイクロマシニング ,  スペクトルバンド ,  Ramanスペクトル ,  光干渉
準シソーラス用語： 散乱強度

分類 (2件)： 光デバイス一般  (BD06010L) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiO2 ,  Si ,  マイクロキャビティ ,  グラフェン ,  Raman強度