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J-GLOBAL ID：202002227843245115   整理番号：20A0472326

CuIを用いたRu基板上のCuの低圧化学蒸着:ab initio計算【JST・京大機械翻訳】

Low-pressure chemical vapor deposition of Cu on Ru substrate using CuI: Abinitio calculations

著者 (2件)： Joutsuka Tatsuya (Institute of Quantum Beam Science, Graduate School of Science and Engineering, Ibaraki University, Hitachi, 316-8511 Ibaraki, Japan) ,  Yamauchi Satoshi (Institute of Quantum Beam Science, Graduate School of Science and Engineering, Ibaraki University, Hitachi, 316-8511 Ibaraki, Japan)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 741  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ab initio電子構造計算による低圧化学蒸着によるRu基板上のCu(I)ヨウ化物(CuI)を用いたCu蒸着の分子機構を明らかにした。密度汎関数理論計算を用いて,CuI分子がRu(001)表面上へのヨウ素原子の強い吸着により発熱的に吸着し,分解することを示した。Cu堆積の律速段階は,Cu(111)表面からのヨウ素分子の脱着であることが分かり,超大規模集積メタライゼーションのための高導電性銅膜の高速堆積を達成するために,ヨウ素種の除去が必要であることを示唆した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *LPCVD ,  ヨウ素 ,  メタライゼーション ,  ヨウ化物 ,  LSI【IC】 ,  *銅 ,  二酸化ケイ素 ,  *蒸着 ,  律速 ,  *ルテニウム ,  発熱 ,  銅(111)
準シソーラス用語： 密度汎関数計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 密度汎関数理論計算 ,  化学蒸着プロセス ,  ヨウ化銅(I) ,  Ru(001)表面 ,  Cu(111)表面 ,  シリカ表面

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (5件)： CUI ,  Ru ,  Cu ,  低圧化学蒸着 ,  計算