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J-GLOBAL ID：202002228055520184   整理番号：20A1437442

HfSiO_x/AlGaN/GaN MOS高電子移動度トランジスタのゲート制御性【JST・京大機械翻訳】

Gate controllability of HfSiO_x/AlGaN/GaN MOS high-electron-mobility transistor

著者 (6件)： Ochi Ryota (Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University, Sapporo 060-0813, Japan) ,  Maeda Erika (Shibaura Institute of Technology, Tokyo 135-8548, Japan) ,  Nabatame Toshihide (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Shiozaki Koji (Institute of Materials and Systems for Sustainability (IMaSS), Nagoya University, Nagoya 464-8601, Japan) ,  Sato Taketomo (Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University, Sapporo 060-0813, Japan) ,  Hashizume Tamotsu (Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University, Sapporo 060-0813, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 6  ページ： 065215-065215-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハフニウムケイ酸塩(HfSiO_x)を高κゲート誘電体としてAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)に適用した。(HfO_2)/(SiO_2)積層構造をプラズマ増強原子層堆積によりAlGaN表面に堆積し,続いて800°Cで堆積後アニーリングを行った。HfSiO_xゲートHEMTは,そのκ値から期待される高い相互コンダクタンスと71mV/decadeのサブ閾値スイングを有する良好な移動特性を示した。金属-オキシド-半導体(MOS)HEMTダイオードでは,無視できる周波数分散で優れた静電容量-電圧(C-V)特性を観測した。詳細なC-V分析はHfSiO_x/AlGaN界面で1011cm-2eV-1のオーダーで低い状態密度を示した。さらに,MOS HEMTの優れた操作安定性を150°Cまでの高温で観察した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  高温 ,  プラズマ ,  焼なまし ,  ダイオード ,  電圧 ,  半導体 ,  酸化物 ,  静電容量 ,  状態密度 ,  *HEMT
準シソーラス用語： *窒化アルミニウムガリウム ,  周波数分散 ,  *AlGaN/GaN ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  MOS ,  高電子移動度トランジスタ ,  ゲート制御