文献

J-GLOBAL ID：202002228504219338   整理番号：20A0033515

垂直ゲートオールアラウンド金属-オキシド-半導体電界効果トランジスタのためのサブ20nm Si円筒状nanopillの作製中の分散低減【JST・京大機械翻訳】

Variance Reduction during the Fabrication of Sub-20 nm Si Cylindrical Nanopillars for Vertical Gate-All-Around Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

著者 (4件)： Ye Shujun (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University) ,  Yamabe Kikuo (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University) ,  Endoh Tetsuo (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University) ,  Endoh Tetsuo (Graduate School of Engineering, Tohoku University)
資料名： ACS Omega  (ACS Omega)
巻： 4  号： 25  ページ： 21115-21121  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5044A  ISSN： 2470-1343  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブ20nmデバイスの分散は,大規模集積回路のための重要な問題である。本研究では,直径分散の減少(±0.5nm)と円筒形状の均一なサブ20nm Siナノピラー(NP)アレイを作製した。これは垂直ゲート-オール-周辺金属-オキシド-半導体電界効果トランジスタに用いることができる。作製プロセスに対して,直径約62.7nmで直径分散±2.0nmのテーパ状Si NPsアレイを,最初にフッ化アルゴンリソグラフィーにより作製し,続いてドライエッチングを行った。次に,NPを自己制限領域で酸化した。酸化物除去後,同様の酸化過程をNPsに対して再び用いた。自己制限領域での酸化を制御することにより,直径分散はSi NPsの高さ方向(形状制御だけでなく)とNP間で,制御可能な直径減少と同時に低減できることを決定した。このアプローチは,従来のナノ加工によって引き起こされたサイズの分散を減少させ,300mmφウエハに対する位置依存分散を克服するのに役立つ。これは,現在の半導体処理によって引き起こされる。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 円筒 ,  *酸化物 ,  ナノメータ加工 ,  酸化 ,  *半導体 ,  ドライエッチング ,  *FET【トランジスタ】 ,  LSI【IC】 ,  リソグラフィー ,  形状制御
準シソーラス用語： フッ化アルゴン ,  ナノピラー ,  *ゲートオールアラウンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 高分子固体の構造と形態学  (CG02022M)

タイトルに関連する用語 (8件)： 垂直 ,  ゲートオールアラウンド ,  オキシド ,  電界効果トランジスタ ,  サブ ,  Si ,  作製 ,  分散低減