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J-GLOBAL ID：202002228707641112   整理番号：20A0363861

結晶シリコン基板上の酸化アルミニウム不動態化膜の電気的性質と構造に及ぼす堆積後アニーリングの影響

Effect of post-deposition annealing on electrical properties and structures of aluminum oxide passivation film on a crystalline silicon substrate

著者 (5件)： ARAFUNE Koji (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  KITANO Sho (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  YOSHIDA Haruhiko (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  OGURA Atsushi (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  HOTTA Yasushi (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： 12  ページ： 125502.1-125502.5  発行年： 2019年12月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の温度で原子層堆積により作製した酸化アルミニウム(AlO_x)不動態化膜の電気的性質と構造に及ぼす堆積後アニーリング(PDA)の影響を研究した。PDAの前後の表面再結合速度(S_max),界面トラップ密度(D_it)および固定電荷密度(Q_eff/q)を,寿命および容量-電圧測定を用いて評価した。PDAによる構造変化を,SPring-8でのStokesエリプソメータとX線反射率(XRR)測定により調べた。全ての試料のS_maxはPDAにより改善された。200°Cと300°Cの温度で堆積した試料中のS_maxの改善はD_itの減少によるものであったが,25°Cの温度で堆積した試料のS_maxの改善はD_itの減少とQ_eff/qの増加の両方によるものであった。XRR測定から,界面薄層の形成が負の固定電荷の出現に必須であることを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  *ウエハ【IC】 ,  *酸化アルミニウム ,  *不動態皮膜 ,  電気的性質 ,  焼なまし ,  速度 ,  *キャリア捕獲 ,  *電荷 ,  キャリア寿命 ,  容量電圧特性 ,  変化 ,  エリプソメータ ,  反射率 ,  放射光施設 ,  *表面構造
準シソーラス用語： 結晶シリコン ,  *シリコン基板 ,  *不動態化膜 ,  ポストアニール処理 ,  表面再結合速度 ,  界面トラップ ,  *固定電荷 ,  構造変化 ,  X線反射率 ,  SPring-8 ,  *界面構造

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 結晶 ,  シリコン基板 ,  酸化アルミニウム ,  不動態化膜 ,  電気的性質 ,  堆積 ,  アニーリング