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J-GLOBAL ID:202002228707641112   整理番号:20A0363861

結晶シリコン基板上の酸化アルミニウム不動態化膜の電気的性質と構造に及ぼす堆積後アニーリングの影響

Effect of post-deposition annealing on electrical properties and structures of aluminum oxide passivation film on a crystalline silicon substrate
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巻: 58  号: 12  ページ: 125502.1-125502.5  発行年: 2019年12月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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種々の温度で原子層堆積により作製した酸化アルミニウム(AlOx)不動態化膜の電気的性質と構造に及ぼす堆積後アニーリング(PDA)の影響を研究した。PDAの前後の表面再結合速度(Smax),界面トラップ密度(Dit)および固定電荷密度(Qeff/q)を,寿命および容量-電圧測定を用いて評価した。PDAによる構造変化を,SPring-8でのStokesエリプソメータとX線反射率(XRR)測定により調べた。全ての試料のSmaxはPDAにより改善された。200°Cと300°Cの温度で堆積した試料中のSmaxの改善はDitの減少によるものであったが,25°Cの温度で堆積した試料のSmaxの改善はDitの減少とQeff/qの増加の両方によるものであった。XRR測定から,界面薄層の形成が負の固定電荷の出現に必須であることを明らかにした。(翻訳著者抄録)
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