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J-GLOBAL ID：202002229222393272   整理番号：20A1517487

層状ビスマス系強誘電体薄膜の微細加工に及ぼすPt犠牲層の影響

Effects of Pt Sacrificial Layer on Microfabrication in Layered Bismuth-based Ferroelectric Thin Films

著者 (8件)： Obayashi Taiki (Department of Chemical Engineering and Materials Science, Graduate School of Engineering, University of Hyogo) ,  Kobune Masafumi (Department of Chemical Engineering and Materials Science, Graduate School of Engineering, University of Hyogo) ,  Matsunaga Takuya (Department of Chemical Engineering and Materials Science, Graduate School of Engineering, University of Hyogo) ,  Ito Ryo (Department of Chemical Engineering and Materials Science, Graduate School of Engineering, University of Hyogo) ,  Migita Tsubasa (Department of Chemical Engineering and Materials Science, Graduate School of Engineering, University of Hyogo) ,  Kikuchi Takeyuki (Department of Chemical Engineering and Materials Science, Graduate School of Engineering, University of Hyogo) ,  Kanda Kensuke (Department of Electronics and Computer Sciences, Graduate School of Engineering, University of Hyogo) ,  Maenaka Kazusuke (Department of Electronics and Computer Sciences, Graduate School of Engineering, University of Hyogo)
資料名： Transactions of the Materials Research Society of Japan  (Transactions of the Materials Research Society of Japan)
巻： 45  号： 2  ページ： 31-34(J-STAGE)  発行年： 2020年 
JST資料番号： L4468A  ISSN： 1382-3469  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャルc軸配向(Bi_3.25Nd_0.65Eu_0.10)Ti₃O₁₂(BNEuT)薄膜を用いた反応性イオンエッチング(RIE)により,マイクロピラー型マルチフェロイック複合デバイスのためのピッチサイズ5μmの強誘電性マイクロロッド膜を作製した。エッチング時間,155nm厚さの犠牲Pt層の存在,およびこの層厚さがマイクロロッド膜の微細構造に及ぼす影響を調べた。RIEプロセス中のPt層の使用は,最終マイクロロッド膜のより高い寸法精度および真直性を可能にした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  *磁性体 ,  *RIE【エッチング】 ,  寸法精度 ,  層厚 ,  微細構造 ,  層 ,  エピタクシー ,  ビスマス化合物 ,  ネオジム化合物 ,  ユウロピウム化合物 ,  チタン酸塩 ,  薄膜 ,  誘電体薄膜 ,  白金 ,  層状化合物 ,  微細加工 ,  磁気電気効果 ,  配向
準シソーラス用語： c軸配向 ,  マイクロピラー ,  マイクロロッド ,  *マルチフェロイック ,  犠牲層 ,  強誘電性薄膜

著者キーワード (8件)： 磁気電気マルチフェロイック ,  (Bi_3.25Nd_0.65Eu_0.10)Ti_3O_12 ,  反応性イオンエッチング ,  Pt犠牲層 ,  磁気電気マルチフェロイック ,  (Bi_3.25Nd_0.65Eu_0.10)Ti_3O_12 ,  反応性イオンエッチング ,  Pt犠牲層

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (19件)：

• [1] X. L. Zhong, J. B. Wang, M. Liao, G. J. Huang, S. H. Xie, Y. C. Zhou, Y. Qiao, and J. P. He, Appl. Phys. Lett. 90, 152903 (2007).
• [2] X. L. Zhong, M. Liao, J. B. Wang, S. H. Xie, and Y. C. Zhou, J. Cryst, Growth 310, 2995 (2008).
• [3] B. Yang, Z. Li, Y. Gao, Y. Lin, and C. W. Nan, J. Alloys Compd. 509, 4608 (2008).
• [4] Y. Kawabata, W. Sakamoto, K. Yoshida, T. Iijima, M. Moriya, and T. Yogo, J. Ceram. Soc. Jpn. 121, 614 (2013).
• [5] F. Fang, Y. Y. Zhou, Y. T. Xu, W. Q. Jing, and W. Yang, Smart Mater. Struct. 22, 075009 (2013).

タイトルに関連する用語 (6件)： 層状 ,  ビスマス ,  強誘電体薄膜 ,  微細加工 ,  Pt ,  犠牲層