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J-GLOBAL ID：202002230666125022   整理番号：20A0528273

シリコン(111)上に成長させたCaF_2薄膜の金属バンド構造 CaSi_2の可能な形成【JST・京大機械翻訳】

Metallic band structure of CaF₂ thin films grown on silicon(111): Possible formation of CaSi₂

著者 (6件)： Takahashi Yuzuru (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan) ,  Ichinokura Satoru (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan) ,  Shimizu Ryota (Department of Applied Chemistry, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan) ,  Shiraki Susumu (Department of Applied Chemistry, Nippon Institute of Technology, Saitama 345-8501, Japan) ,  Hitosugi Taro (Department of Applied Chemistry, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan) ,  Hirahara Toru (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 509  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)基板上にエピタキシャル10単分子層(ML)CaF_2膜を成長させ,角度分解光電子分光法によりその電子構造を測定した。反射高エネルギー電子回折測定により,成長温度400~500°CでCa-Si表面超構造の形成を示さない成長膜の1×1ストリークを示した。膜のバンド分散はバルクCaF_2の高絶縁性と対照的に金属的であった。金属バンド分散は,CaF_2膜上の付加的Si堆積(1~10ML)で変化しなかった。著者らは,CaSi_2が表面層の近くで形成される可能性があることを示唆し,これは,CaF_2/Siが原子的に薄い電子デバイスにおける応用のための理想的な絶縁体/半導体ヘテロ構造ではないことを示している。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  *ケイ素 ,  エピタクシー ,  *バンド構造 ,  単分子層 ,  半導体 ,  RHEED ,  絶縁体 ,  表層 ,  電子構造 ,  *薄膜
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  電子素子 ,  バンド分散 ,  超構造 ,  *シリコン(111) , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ヘテロ構造 ,  シリコン ,  絶縁体 ,  半導体 ,  デバイス

分類 (3件)： 医用素材  (GA05040H) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  成長 ,  薄膜 ,  バンド構造