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J-GLOBAL ID：202002231186806463   整理番号：20A1060376

LPCVD法により成長させたZnO:B膜の性質に及ぼすホウ素ドーピング量の影響とa-Si:H/μc-Si:Hタンデム太陽電池との相関【JST・京大機械翻訳】

Influence of boron doping amount on properties of ZnO:B films grown by LPCVD technique and its correlation to a-Si:H/μc-Si:H tandem solar cells

著者 (7件)： Li Wang (The Center of Collaboration and Innovation, Jiangxi University of Technology, Nanchang, Jiangxi, China) ,  Du Jiangping (Institute of Business Administration, Jiangxi University of Technology, Nanchang, Jiangxi, China) ,  Tang Lu (The Center of Collaboration and Innovation, Jiangxi University of Technology, Nanchang, Jiangxi, China) ,  Tian Yahui (The Center of Collaboration and Innovation, Jiangxi University of Technology, Nanchang, Jiangxi, China) ,  Xue Fei (The Center of Collaboration and Innovation, Jiangxi University of Technology, Nanchang, Jiangxi, China) ,  Jiang Qianshao (3D SolarTech Co. Ltd., Yuyao, Zhejiang, China) ,  Pan Shengjiang (3D SolarTech Co. Ltd., Yuyao, Zhejiang, China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 31  号： 9  ページ： 6654-6663  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々のドーピングレベルを有するホウ素ドープZnO:B(BZO)膜を,低圧化学蒸着法により大面積基板上に調製した。BZO膜の電気的及び光学的性質に及ぼすドーピング量の影響を調べた。ZnO相合成は,ドーピングガス流が25から100sccmまで変化するときにはほとんど影響されないが,粒成長の優先配向は次第に影響されることが分かった。BZOの結晶粒サイズの急激な減少を引き起こし,従って膜の光散乱容量を劇的に弱める75sccmのドーピングガス流の閾値が存在することは興味深い。BZO膜中にドープされたホウ素原子は部分的に電気的に活性であり,さらに,より重いドーピングレベル,より不活性なB原子,はキャリア移動度を減少させるだけでなく,不純物散乱の増強によるより強い光吸収を促進することも注目される。ドーピングガス流が75sccmであるとき,BZO膜は,15.2Ω/□のR_sq,21.3%の平均ヘイズ,および80.2%の平均TTを有する適切な包括的特性を達成することができた。a-Si:H/μc-Si:H太陽電池の前面電極としてこの膜を用いて,J_scが12.68mA/cm2,V_ocが1.385mV,初期効率(η)が11.83%の太陽電池の最適性能を得た。Copyright Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  結晶成長 ,  光学的性質 ,  *太陽電池 ,  光吸収 ,  光散乱 ,  *ホウ素 ,  *酸化亜鉛 ,  *ドーピング ,  気体流 ,  優先配向 ,  結晶粒径
準シソーラス用語： ヘイズ ,  *タンデム太陽電池 ,  *ホウ素ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： LPCVD ,  成長 ,  ZnO ,  性質 ,  ホウ素ドーピング ,  Si ,  タンデム太陽電池 ,  相関