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J-GLOBAL ID:202002231430545755   整理番号:20A0117317

SOIウェハの直接接合を用いた3層構造リングオシレータとイメージセンサの試作

Triple-Layered Ring Oscillators and Image Sensors Developed by Direct Bonding of SOI Wafers
著者 (11件):
資料名:
巻: 119  号: 284(ICD2019 28-43)  ページ: 45-49  発行年: 2019年11月06日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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超高精細と高フレームレートとを両立する次世代のイメージセンサを目指して,画素並列信号処理を行う3次元構造イメージセンサの研究を進めている.これまでに,SOIウェハの直接接合技術により,画素内で入射光量に対応したパルスを発生してA/D変換を行う2層構造イメージセンサの開発を行い,その撮像動作を実証した.今回,本センサのさらなる高集積化や多機能化を可能とする多層構造の実現に向けて,3層のSOIウェハから構成されるリングオシレータおよびイメージセンサを設計し,直径5μmのAu電極を埋め込んだ直接接合技術により試作を行った.その結果,3層のウェハが剥離なく接合していることを確認するとともに,101段リングオシレータの動作を実証することができ,将来の多層構造デバイスの実現に見通しを得た.(著者抄録)
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分類 (2件):
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発振回路  ,  計測機器一般 
引用文献 (13件):

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