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J-GLOBAL ID：202002232554227195   整理番号：20A2354324

SiC基板上のp-GaN AlGaN/GaN HEMTの動的R_on劣化に及ぼす熱効果

Thermal effect on dynamic R_on degradation of p-GaN AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrates

著者 (4件)： Hu Manqing (Communication and Information Engineering Department, Chengdu College of University of Electronic Science and Technology of China) ,  Liu Gengxin (Communication and Information Engineering Department, Chengdu College of University of Electronic Science and Technology of China) ,  Du E (Communication and Information Engineering Department, Chengdu College of University of Electronic Science and Technology of China) ,  Mu Feiyan (Communication and Information Engineering Department, Chengdu College of University of Electronic Science and Technology of China)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 17  号： 17  ページ： 20200255(J-STAGE)  発行年： 2020年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,SiC基板上の通常オフp-GaN AlGaN/GaN HEMTsの動的オン抵抗(R_on)劣化における熱効果をパルスモード電圧ストレスを用いて解析した。GaN-on-Si HEMTsの顕著な劣化特性と比較して,低イオン化アクセプタ様バッファトラップによるよる高い熱境界伝導により,GaN-on-SiCにおいて動的R_on劣化抑制を達成した。熱効果に関連するトラップ機構を明らかにするために,異なる電気特性を議論した。最後に,二次元デバイスシミュレーションを行い,動的R_on劣化に対する熱効果への物理的洞察を行った。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 基板 ,  炭化ケイ素 ,  *HEMT ,  窒化ガリウム ,  *オン抵抗 ,  *熱影響 ,  電子 ,  捕獲 ,  計算機シミュレーション ,  アルミニウム化合物
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  *GaN HEMT ,  SiC基板 ,  デバイスシミュレーション ,  トラップ【固体】 ,  *熱効果

著者キーワード (6件)： バッファトラップ ,  動的Ron分解 ,  AlGaN/GaN HEMT ,  パルスモード応力 ,  基板 ,  温度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (30件)：

• [1] C.H. Wu, et al.: “Normally-off tri-gate GaN MIS-HEMTs with 0.76 mΩ·cm² specific on-resistance for power device applications,” IEEE Trans. Electron Devices 66 (2019) 3441 (DOI: 10.1109/TED.2019.2922301).
• [2] Q. Zhou, et al.: “Tri-gated hybrid anode AlGaN/GaN power diode with intrinsic low turn-on voltage and ultralow reverse leakage current,” IEEE Trans. Electron Devices 67 (2020) 1712 (DOI: 10.1109/TED.2020.2971384).
• [3] A. Binder, et al.: “P.M. effects of heterostructure design on performance for low voltage GaN power HEMTs,” ECS Journal of Solid State Science and Technology 8 (2019) Q15 (DOI: 10.1149/2.0141902jss).
• [4] W. Yang, et al.: “Substrate bias effect on dynamic characteristics of a monolithically integrated GaN half-bridge,” 2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) (2020) 1 (DOI: 10.1109/IRPS45951.2020.9128309).
• [5] W. Yang, et al.: “Low-side GaN power device dynamic Ron characteristics under different substrate biases,” 2019 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) (2019) 1 (DOI: 10.1109/IRPS.2019.8720433).

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC基板 ,  GaN ,  AlGaN ,  HEMT ,  熱効果