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J-GLOBAL ID：202002234487567855   整理番号：20A2096131

次世代電子デバイス用カルコゲナイド系相変化材料の研究

A Study of Chalcogenide Phase-Change Materials for Next-Generation Electronic Devices

著者 (1件)： 齊藤雄太 (国立研究開発法人 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 59  号： 7  ページ： 387-392(J-STAGE)  発行年： 2020年 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・本稿では,高耐熱性の相変化材料の開発と従来メモリよりも低消費電力で動作する,いわゆる超格子型の相変化材料に関する著者らの研究を紹介。
・遷移金属相変化材料(結晶-非晶質)は,d電子(従来型はp電子)が結合に関与していること,また,PCRAM用としてはX_TM(遷移金属)-Sb-Te三元系をデータベースを参照に研究を進めたと説明。
・もう一つの層状相変化材料として,低消費電力で動作で注目されるSb₂Te₃とGeTeを原子レベルで交互に積層させた超格子型相変化材料(結晶-結晶)の作製法について記述。
・GeTe/Sb₂Te₃超格子型相変化メモリにおける二つの状態における電気抵抗変化の起源に関する一考察をに言及。

シソーラス用語： 固体素子 ,  *カルコゲン化物 ,  *遷移金属化合物 ,  非晶質 ,  結晶 ,  相転移 ,  *PRAM【メモリ】 ,  光ディスク ,  層状化合物 ,  超格子 ,  消費電力 ,  省エネルギー ,  電子構造 ,  電気抵抗
準シソーラス用語： PCRAM ,  遷移金属カルコゲナイド ,  遷移金属ダイカルコゲナイド ,  *相変化材料 ,  電子デバイス

著者キーワード (8件)： phase change material ,  chalcogenide ,  telluride ,  amorphous ,  electronic structure ,  non-volatile memory ,  sputtering ,  density functional theory

分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  相転移・臨界現象一般  (BL04010V)

引用文献 (30件)：

• (1) M. Wuttig and N. Yamada: Nat. Mater., 6(2007), 824-832.
• (2) P. Noé, C. Vallée, F. Hippert, F. Fillot and J.-Y. Raty: Semicond. Sci. Technol., 33(2018), 013002.
• (3) 須藤祐司,齊藤雄太,小池淳一:まてりあ,53(2014), 45-51.
• (4) K. Schwarz and P. Blaha: Comp. Mater. Sci., 28(2003), 259-273.
• (5) Y. Saito, Y. Sutou, P. Fons, S. Shindo, X. Kozina, J. M. Skelton, A. V. Kolobov and K. Kobayashi: Chem. Mater., 29(2017), 7440-7449.

タイトルに関連する用語 (5件)： 次世代 ,  電子デバイス ,  カルコゲナイド ,  相変化材料 ,  研究