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J-GLOBAL ID：202002234519984253   整理番号：20A0377987

RHEEDの散漫散乱を用いたプラズマ支援分子ビームエピタクシーによるIII-窒化物材料の成長のモニタリング【JST・京大機械翻訳】

Monitoring the growth of III-nitride materials by plasma assisted molecular beam epitaxy employing diffuse scattering of RHEED

著者 (8件)： Sen Sayantani (Centre for Research in Nanoscience and Nanotechnology, University of Calcutta, Kolkata 700106, India) ,  Paul Suchismita (Centre for Research in Nanoscience and Nanotechnology, University of Calcutta, Kolkata 700106, India) ,  Singha Chirantan (Centre for Research in Nanoscience and Nanotechnology, University of Calcutta, Kolkata 700106, India) ,  Saha Anirban (Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, Kolkata 700009, India) ,  Das Alakananda (Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, Kolkata 700009, India) ,  Guha Roy Pushan (Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, Kolkata 700009, India) ,  Pramanik Pallabi (Department of Electronics and Telecommunication Engineering, Indian Institute of Engineering Science and Technology, Shibpur, Howrah 711103, India) ,  Bhattacharyya Anirban (Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, Kolkata 700009, India)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 38  号： 1  ページ： 014007-014007-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN合金は,高出力高周波エレクトロニクスと同様に,UVエミッタと検出器において重要な応用を見出す。反射高エネルギー電子回折(RHEED)はプラズマ支援分子線エピタクシーによるAlGaN合金の成長のその場監視のための標準技術であるが,本論文ではその応用の新しいモードを調べた。AlGaN合金の成長の間,V族(活性窒素)吸着原子に対するIII族(Al+Ga)の比はAlGaN膜の材料特性を決定的に制御し,非常に狭い操作窓内で最適である。さらに,この比は基板温度を含む種々の成長パラメータに対する複雑な様式に依存し,実時間で定量的に決定することは困難である。本論文は,重要なパラメータを推定する方法を提供した。これは,安価なビデオカメラセットアップと簡単な分析手順を用いて蛍光スクリーンからのRHEED画像の捕捉を通して行うことができる。大部分のRHEED分析は回折パターン,例えば線間隔に焦点を合わせているが,本研究では,成長中に典型的に使用される過剰グループIII条件下での堆積時に成長表面の上部に形成される金属層からの電子ビームの拡散散乱を定量化した。データ解析のための2つの代替法を調べ,比較した。結果は,このプロセスが,異なる基板温度に対して,薄い金属層の厚さの変化を定性的にトレースすることができ,したがって,グループIIIからグループVフラックス比を,定性的にトレースできることを示している。この技術は簡単で,迅速で,費用対効果が高く,AlGaN合金の実時間その場特性化のための標準MBEシステムに組み込むことができる。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 合金 ,  データ解析 ,  *RHEED ,  ビデオカメラ ,  *MBE成長 ,  HF【周波数】 ,  電子技術 ,  基板温度 ,  電子ビーム ,  *窒化物 ,  キャラクタリゼーション ,  *散漫散乱 ,  *散乱 ,  *プラズマ ,  検出器

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： RHEED ,  散漫散乱 ,  プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  窒化物 ,  成長 ,  モニタリング