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J-GLOBAL ID：202002234561975406   整理番号：20A0333805

ニューロモルフィック計算のための3D 1S1R RRAMクロスバアレイにおける熱擾乱の低減【JST・京大機械翻訳】

Reduction of thermal disturbances in 3D 1S1R RRAM crossbar arrays for neuromorphic computing

著者 (5件)： Sun Rui (School of Microelectronics, Dalian University of Technology, Dalian, 116024, People’s Republic of China) ,  Chen Huan (School of Microelectronics, Dalian University of Technology, Dalian, 116024, People’s Republic of China) ,  Wang Guanran (School of Microelectronics, Dalian University of Technology, Dalian, 116024, People’s Republic of China) ,  Wang Chen (School of Microelectronics, Dalian University of Technology, Dalian, 116024, People’s Republic of China) ,  Hao Liang (Key Laboratory of Ocean Energy Utilization and Energy Conservation of Ministry of Education, School of Energy and Power Engineering, Dalian University of Technology, Dalian, 116024, People’s Republic of China)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 34  号： 11  ページ： 115023 (7pp)  発行年： 2019年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,抵抗性ランダムアクセスメモリ(RRAM)におけるアナログ挙動が,神経形態計算のための有望な回路実装として提案されている。しかし,今日まで,高密度RRAMアレイにおける熱擾乱により誘起された抵抗劣化(計算量)の問題に関する研究は比較的少ない。本論文では,三次元(3D)一選択器,一抵抗(1S1R)RRAMクロスバー配列の神経形態計算用の熱シミュレーションを,COMSOL多物理ソフトウェアを用いて実行した。熱擾乱問題に影響する4つの因子を考慮した:隣接装置間の距離,絶縁材料の熱伝導率,RRAMの低抵抗状態(LRS)の抵抗,およびプログラミング速度。素子間隔が200nm未満のとき,熱擾乱はより厳しいことが分かった。絶縁材料のより高い熱伝導率,より大きなLRS抵抗,およびより速い動作速度は,3D1S1R RRAMクロスバーアレイにおける熱擾乱を効果的に低減することが分かった。サブナノ秒パルスの使用は熱的問題を最大程度に解決した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱伝導率 ,  計算量 ,  選別器 ,  絶縁材料 ,  RAM【メモリ】 ,  ソフトウェア ,  *三次元 ,  アナログ系
準シソーラス用語： COMSOL ,  熱シミュレーション ,  高密度 ,  回路実装 ,  熱擾乱 ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 計算 ,  3D ,  RRAM ,  クロスバ ,  アレイ ,  熱擾乱