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J-GLOBAL ID：202002235028608025   整理番号：20A0899623

酸化物とIV族半導体のタイプIIヘテロトンネル接合を持つ二層構造のpチャネルTFET動作【JST・京大機械翻訳】

p-Channel TFET Operation of Bilayer Structures With Type-II Heterotunneling Junction of Oxide- and Group-IV Semiconductors

著者 (9件)： Kato Kimihiko (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Japan) ,  Jo Kwang-Won (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Matsui Hiroaki (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Tabata Hitoshi (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Mori Takahiro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Japan) ,  Morita Yukinori (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Japan) ,  Matsukawa Takashi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Japan) ,  Takenaka Mitsuru (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Takagi Shinichi (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67  号： 4  ページ： 1880-1886  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型酸化物半導体(n-OS)/p型IV族半導体(P-IV)ヘテロ構造から成るpチャネル二層TFETを提案し,同じ素子構造の下でn-およびp-チャネルTFET動作の両方を実現することを可能にした。ここでは,ヘテロ構造中のP-IV側は,P-IV MOS界面の表面電位を変調し,p-TFET動作下でバンド間トンネリング(BTBT)電流を制御する金属-酸化物-半導体(MOS)ゲートスタックを有する。技術コンピュータ支援設計(TCAD)シミュレーションは,n-TFET動作に対する対称電気特性を有するp-TFET動作を予測する。さらに,Siバックゲート動作下で,SiGeオン絶縁体基板上に作製したn-ZnSnO/p-SiGe二層素子のp-TFET動作を実験的に実証した。さらに,n-およびp-TFET動作の両方を,トップおよびバックゲート電極を用いて同一デバイスで観測した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  シミュレーション ,  対称性 ,  電流 ,  *半導体 ,  表面電位 ,  ケイ素 ,  *酸化物 ,  *トンネル接合 ,  素子構造 ,  電気特性
準シソーラス用語： バックゲート ,  ヘテロ構造 ,  TCAD ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化物 ,  タイプ ,  テロ ,  トンネル接合 ,  二層構造 ,  チャネル ,  TFET