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J-GLOBAL ID：202002235540927836   整理番号：20A2501594

相変化メモリ応用のためのエピタキシャルダイオードアレイにおける駆動電流とクロストーク効果の最適化【JST・京大機械翻訳】

Optimization of driving current and crosstalk effect in epitaxial diode array for phase change memory application

著者 (14件)： Li Yang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Laboratory of Nanotechnology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050 People’s Republic of China) ,  Li Yang (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080 People’s Republic of China) ,  Cai Dao-Lin (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Laboratory of Nanotechnology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050 People’s Republic of China) ,  Chen Yi-Feng (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Laboratory of Nanotechnology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050 People’s Republic of China) ,  Wu Lei (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Laboratory of Nanotechnology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050 People’s Republic of China) ,  Wu Lei (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080 People’s Republic of China) ,  Liu Yuan-Guang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Laboratory of Nanotechnology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050 People’s Republic of China) ,  Liu Yuan-Guang (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080 People’s Republic of China) ,  Yan Shuai (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Laboratory of Nanotechnology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050 People’s Republic of China) ,  Yan Shuai (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080 People’s Republic of China) ,  Yu Li (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Laboratory of Nanotechnology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050 People’s Republic of China) ,  Yu Li (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080 People’s Republic of China) ,  Liu Wei-Li (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Laboratory of Nanotechnology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050 People’s Republic of China) ,  Song Zhi-Tang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Laboratory of Nanotechnology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050 People’s Republic of China)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 11  ページ： 115001 (6pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,駆動電流の一貫性と漏話電流の信頼性を目的として,位相変化メモリ(PCM)のためのデュアルトレンチエピタキシャルダイオードアレイの性能と最適化計算モデルを最適化するための2つの方法を提案した。ピックアップを挿入し,新しいバイアス方式を用いて,ダイオードアレイの一貫性を改善し,アイドリングストレージセルに対するクロストーク電流の影響をそれぞれ低減できた。試験結果は,40nmのプロセスノードにおける4F2を含むアレイのすべてのダイオードが,ピックアップを挿入した後に,2.7Vで900μA以上の駆動電流を提供できることを示した。新しいバイアス方式により,12F2ダイオードアレイにおけるクロストーク比の最大値は2%以下に低減でき,これはアイドリングPCMセルに効果がないことを証明した。さらに,最適化モデルは,ダイオードアクセスPCMチップの性能を改善するための設計と製作の基礎である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相シフト ,  *エピタクシー ,  *記憶装置 ,  *最適化 ,  *ダイオード ,  *電流 ,  信頼性 ,  アイドリング ,  漏話 ,  バイアス ,  計算モデル ,  *クロストーク
準シソーラス用語： *駆動電流 ,  最適化モデル ,  *相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 相変化メモリ ,  応用 ,  駆動電流 ,  クロストーク ,  最適化