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J-GLOBAL ID：202002235805485571   整理番号：20A1051814

歪んだカルコゲン化物ペロブスカイトにおける異常な強いバンド端吸収【JST・京大機械翻訳】

Extraordinary Strong Band-Edge Absorption in Distorted Chalcogenide Perovskites

著者 (12件)： Nishigaki Yukinori (Department of Electrical, Electronic and Computer Engineering, Gifu University, 1-1 Yanagido, Gifu, 501-1193, Japan) ,  Nagai Takayuki (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Mailbox SE-1, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama, Kanagawa, 226-8503, Japan) ,  Nishiwaki Mitsutoshi (Department of Electrical, Electronic and Computer Engineering, Gifu University, 1-1 Yanagido, Gifu, 501-1193, Japan) ,  Aizawa Takuma (Laboratory for Materials and Structures, Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, Mailbox R3-3, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama, Kanagawa, 226-8503, Japan) ,  Kozawa Masayuki (Department of Electrical, Electronic and Computer Engineering, Gifu University, 1-1 Yanagido, Gifu, 501-1193, Japan) ,  Hanzawa Kota (Laboratory for Materials and Structures, Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, Mailbox R3-3, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama, Kanagawa, 226-8503, Japan) ,  Kato Yoshitsune (Department of Electrical, Electronic and Computer Engineering, Gifu University, 1-1 Yanagido, Gifu, 501-1193, Japan) ,  Sai Hitoshi (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Central 2, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki, 305-8568, Japan) ,  Hiramatsu Hidenori (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Mailbox SE-1, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama, Kanagawa, 226-8503, Japan) ,  Hiramatsu Hidenori (Laboratory for Materials and Structures, Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, Mailbox R3-3, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama, Kanagawa, 226-8503, Japan) ,  Hosono Hideo (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Mailbox SE-1, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama, Kanagawa, 226-8503, Japan) ,  Fujiwara Hiroyuki (Department of Electrical, Electronic and Computer Engineering, Gifu University, 1-1 Yanagido, Gifu, 501-1193, Japan)
資料名： Solar RRL  (Solar RRL)
巻： 4  号： 5  ページ： e1900555  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3682A  ISSN： 2367-198X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハイブリッドペロブスカイトを含む全ての既存の太陽電池材料は,バンドギャップ(E_g)遷移領域において約10~4cm-1のかなり小さい吸収係数(α)を示す。弱いバンド端光吸収は,特にタンデム太陽電池における変換効率を制限する重要な問題である。ここでは,すべての歪んだカルコゲン化物ペロブスカイト(BaZrS_3,SrZrS_3,BaHfS_3,SrHfS_3)は,E_g近くで10~5cm-1を超える異常な高いαを示すことを実験的に見出し,既知の太陽電池材料の中で最も高いバンド端αを示した。第一原理と一致するE_g領域における巨大吸収は,高密度S3p原子価状態により可能な強いp-dバンド間遷移から生じた。太陽電池応用のために,低ギャップBaZrS_3誘導体,Ba(Zr,Ti)S_3およびBaZr(S,Se)_3をさらに合成した。トップセル材料の可能性のある候補の中で,地球に豊富で非毒性のBa(Zr,Ti)S_3合金は大きな可能性を示し,カルコゲナイドペロブスカイト/結晶Siタンデム構造において38%を超える最大ポテンシャル効率に達した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸収係数 ,  光学的性質 ,  合金 ,  太陽電池 ,  光吸収 ,  地球 ,  *カルコゲン化物 ,  直列接続 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  第一原理 ,  バンド間遷移 ,  タンデム太陽電池 ,  原子価状態 ,  *バンド端 ,  惑星

著者キーワード (5件)： カルコゲン化物ペロブスカイト ,  密度汎関数理論 ,  高吸収係数 ,  光学的性質 ,  タンデム太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： カルコゲン化物 ,  ペロブスカイト ,  バンド