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J-GLOBAL ID：202002236270620221   整理番号：20A1099769

深いRIEのMEMS側壁表面のトライボロジー挙動を研究するためのオンチップ微細加工試験構造【JST・京大機械翻訳】

An On-Chip Micromachined Test Structure to Study the Tribological Behavior of Deep-RIE MEMS Sidewall Surfaces

著者 (3件)： Reddy R. Ranga (Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Okamoto Yuki (Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Mita Yoshio (Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing  (IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻： 33  号： 2  ページ： 187-195  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0521A  ISSN： 0894-6507  CODEN： ITSMED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 微小電気機械システム(MEMS)デバイスの深い反応性イオンエッチング(DRIE)側壁表面のトライボロジー挙動を調べるために,オンチップ微小機械的試験構造を提示した。提案した試験構造を,標準表面マイクロマシンプロセスを用いて絶縁体(SOI)ウエハ上にシリコン上に作製した。試験構造は二つの直交配置静電櫛駆動アクチュエータから成り,一つは一定の垂直荷重の下で摩擦表面との接触を整列させるために使用され,もう一つは接触側壁表面上の接線運動を発生させるために使用される。DRIE側壁表面の摩擦挙動を評価するために,静的および動的摩擦係数の両方を,異なるDRIEプロセスパラメータに対して研究した。摩耗解析を行い,それらの運転中のMEMS側壁表面の性能と信頼性を抽出した。実験結果から,垂直荷重の増加により,静的摩擦係数は非線形依存性を示すが,動的摩擦係数にはあまり影響しないことが分かった。DRIEプロセスパラメータは静的および動的摩擦係数に大きな影響を及ぼす。すなわち,アスペリティサイズの変化はそれらの操作中の接触ペア間の実際の接触面積を変化させる。摩耗解析から,摩擦係数は非常に高い初期値であることが分かり,次に,それは数サイクルにわたり各サイクルで低下し,最終的に定常状態値に達した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 摩擦係数 ,  摩耗 ,  信頼性 ,  ケイ素 ,  鉛直荷重 ,  *微細加工 ,  プロセスパラメータ ,  RIE【エッチング】 ,  アスペリティ ,  *MEMS ,  絶縁体
準シソーラス用語： 接触面積 ,  *オンチップ ,  動摩擦係数 ,  静摩擦 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： RIE ,  MEMS ,  壁表面 ,  トライボロジー挙動 ,  研究 ,  オンチップ ,  微細加工 ,  試験