文献

J-GLOBAL ID：202002236716906882   整理番号：20A1236121

単結晶エピタキシャルゲルマナン膜における低熱伝導率

Low thermal conductivity in single crystalline epitaxial germanane films

著者 (5件)： Uematsu Yuto (Osaka University, 1-3 Machikaneyama-cho, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Terada Tsukasa (Osaka University, 1-3 Machikaneyama-cho, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Sato Kento (Osaka University, 1-3 Machikaneyama-cho, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Ishibe Takafumi (Osaka University, 1-3 Machikaneyama-cho, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Nakamura Yoshiaki (Osaka University, 1-3 Machikaneyama-cho, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 13  号： 5  ページ： 055503 (4pp)  発行年： 2020年05月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャルゲルマナン膜の熱伝導率を調べた:水素化ゲルマネンの積層構造Ge(111)上に単結晶ゲルマナン膜がエピタキシャル成長したことを確認した。膜は1.1±0.3Wm^-1K^-1の低い面外熱伝導率を示し,これは重い原子から成る他の層状材料よりも低い。これは,より小さい原子から成るゲルマナンにおける弱い分極に関連する弱いvan der Waals層間相互作用に由来した。このことは,van der Waals層間相互作用を弱めるための小さな構成原子の選択が,高性能熱電層状材料の開発のための有望な熱伝導率低減の概要であることを示している。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 単結晶 ,  薄膜 ,  *ゲルマニウム ,  ナノシート ,  *熱伝導率 ,  積層構造 ,  積層材料 ,  エピタクシー ,  相互作用 ,  熱電材料
準シソーラス用語： エピタキシャル膜 ,  ゲルマネン ,  *ゲルマナン ,  層状材料 ,  van der Waalsエピタクシー ,  層間相互作用 ,  熱電変換材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 単結晶エピタキシ ,  熱伝導率