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J-GLOBAL ID:202002237149894763   整理番号:20A0484286

高周波マグネトロンスパッタリングにより作製したCu_4O_3薄膜における窒素ドーピング効果【JST・京大機械翻訳】

Nitrogen Doping Effect in Cu4O3 Thin Films Fabricated by Radio Frequency Magnetron Sputtering
著者 (8件):
資料名:
巻: 257  号:ページ: e1900363  発行年: 2020年 
JST資料番号: C0599A  ISSN: 0370-1972  CODEN: PSSBBD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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NドープCu_4O_3薄膜を,純粋なCuターゲットを用いて,Ar,O_2,およびN_2の雰囲気中で,無線周波数マグネトロンスパッタリングによって蒸着した。堆積中のN_2ガス流の変化により,構造的,電気的,光学的性質を系統的に調べた。結果は,N_2流量が,得られたCu_4O_3膜の組成と機能特性の両方に強い影響を及ぼすことを明らかにした。X線回折(XRD)とRaman分光法は,4.3sccmまでの低いN_2流量でNドープCu_4O_3の単相の形成を示す。光学吸収分析から,非ドープおよびNドープCu_4O_3膜の両方は,E_g=1.34~1.44eVで直接禁制遷移を示した。全ての非ドープおよびNドープCu_4O_3薄膜はp型伝導性を示し,NドープCu_4O_3は10~1~10~2Ωcmのオーダーで低い抵抗率を示した。これらの結果は,NドープCu_4O_3が低コスト薄膜太陽電池における吸収体のための非常に有望な材料であることを明確に示した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体結晶の電子構造 
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