Patwary Md Abdul Majed について
Department of Electrical and Electronic Engineering, Saga University, 1 Honjo, Saga, 840-8502, Japan について
Saito Katsuhiko について
Department of Electrical and Electronic Engineering, Saga University, 1 Honjo, Saga, 840-8502, Japan について
Guo Qixin について
Department of Electrical and Electronic Engineering, Saga University, 1 Honjo, Saga, 840-8502, Japan について
Tanaka Tooru について
Department of Electrical and Electronic Engineering, Saga University, 1 Honjo, Saga, 840-8502, Japan について
Man Yu Kin について
Department of Physics and Materials Science, City University of Hong Kong, Kowloon, Hong Kong について
Man Yu Kin について
Materials Science Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA, 94720, USA について
Walukiewicz Wladek について
Materials Science Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA, 94720, USA について
Walukiewicz Wladek について
Department of Materials Science and Engineering, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, 94720, USA について
Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics について
光学的性質 について
RFスパッタリング について
流量 について
Raman分光法 について
禁止遷移 について
薄膜 について
X線回折 について
電気抵抗率 について
ドーピング について
銅 について
単相 について
気体流 について
吸収体 について
マグネトロンスパッタリング について
薄膜太陽電池 について
Cu4O3 について
低コスト薄膜 について
窒素ドーピング について
高周波スパッタリング について
半導体結晶の電子構造 について
高周波マグネトロンスパッタリング について
作製 について
薄膜 について
窒素 について
ドーピング効果 について