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J-GLOBAL ID：202002237374970012   整理番号：20A1037669

共スパッタリング法により作製した(Ca_xSr_1-x)Si_2膜の作製と特性評価【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and characterization of (Ca_xSr_1-x)Si₂ films prepared by co-sputtering method

著者 (10件)： Aoyama Kodai (School of Materials and Chemical Technology, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Shimizu Takao (School of Materials and Chemical Technology, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Kuramochi Hideto (Tosoh corporation, 2743-1 Hayakawa, Ayase, Kanagawa 252-1123, Japan) ,  Mesuda Masami (Tosoh corporation, 2743-1 Hayakawa, Ayase, Kanagawa 252-1123, Japan) ,  Akiike Ryo (Tosoh corporation, 2743-1 Hayakawa, Ayase, Kanagawa 252-1123, Japan) ,  Ide Keisuke (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Katase Takayoshi (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Kamiya Toshio (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Kimura Yoshisato (School of Materials and Chemical Technology, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Funakubo Hiroshi (School of Materials and Chemical Technology, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan)
資料名： MRS Advances  (MRS Advances)
巻： 5  号： 10  ページ： 451-458  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5489A  ISSN： 2059-8521  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： {100}配向(Ca_xSr_1-x)Si_2薄膜を,種々の堆積温度での同時スパッタリング法によって調製した。膜の構成相は主に堆積温度と組成xに依存した。CaSi_2膜は堆積温度に関係なく層状構造で構成されていたが,相は堆積温度により変化した。600°C,650°Cおよび700°Cで堆積した膜の大部分は1T層状構造,1T層状構造+2H層状構造および1T層状構造+6R層状構造であった。700°Cで堆積した(Ca_xSr_1-x)Si_2膜の場合,α-SrSi_2型相は主にx=0.17以下で確認され,これはSrSi_2の最も安定な相であった。しかし,600°Cで堆積したすべてのCa_xSr_1-xSi_2膜の主相は1T型層状構造に変化した。600°Cで堆積した膜におけるx=0.50以下のCaによる置換は,純粋なSrSi_2と比較して電気抵抗率の減少をもたらした。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  薄膜 ,  *カルシウム ,  層状組織 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 同時スパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (1件)： 薄膜

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 共スパッタリング ,  作製 ,  特性評価