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J-GLOBAL ID：202002238260086077   整理番号：20A2236700

印刷と焼成によるシリコン系混晶半導体のエピタキシャル成長のその場観察

In-situ observation of Si-based alloy epitaxial growth using printing and firing

著者 (9件)： 福田啓介 (名古屋大 工) ,  中原正博 (名古屋大 工) ,  中原正博 (東洋アルミニウム) ,  深見昌吾 (名古屋大 工) ,  宮本聡 (名古屋大 工) ,  DHAMRIN Marwan (東洋アルミニウム) ,  前田健作 (東北大 金属材料研) ,  藤原航三 (東北大 金属材料研) ,  宇佐美徳隆 (名古屋大 工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.12a-D519-2  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】全率固溶系であるシリコン・ゲルマニウム(SiGe)混晶の薄膜は、格子定数とバンドギャップを広範囲で制御することが可能であり、多接合型太陽電池のボトムセルであるGe基板を代用するための仮想基板として期待されている。また、これにスズ(S...【本文一部表示】

シソーラス用語： 界面 ,  光学的性質 ,  格子定数 ,  *固溶体 ,  太陽電池 ,  薄膜 ,  偏析 ,  アルミニウム ,  *ケイ素 ,  スズ ,  混合比 ,  急冷 ,  *その場観察 ,  昇温 ,  バンドギャップ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 焼成 ,  シリコン ,  混晶半導体 ,  エピタキシャル成長 ,  その場観察