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J-GLOBAL ID：202002238919919214   整理番号：20A1884105

RFマグネトロンスパッタリングにより蒸着したTa薄膜における特性熱拡散による電気的ゆらぎスペクトル

Electrical fluctuation spectra due to characteristic thermal diffusion in Ta thin films deposited by RF-magnetron sputtering

著者 (5件)： Uesugi Ryota (College of Engineering, Ibaraki University, 4-12-1, Nakanarusawa, Hitachi, Ibaraki, 316-8511, Japan) ,  Komine Takashi (College of Engineering, Ibaraki University, 4-12-1, Nakanarusawa, Hitachi, Ibaraki, 316-8511, Japan) ,  Mizuno Masaomi (College of Engineering, Ibaraki University, 4-12-1, Nakanarusawa, Hitachi, Ibaraki, 316-8511, Japan) ,  Ando Ryo (Institute of Technology Innovation Center (ITIC) of Ibaraki prefecture, 3781-1 Nagaoka, Ibaraki-machi, Higashi-ibaraki-gun, Ibaraki, 311-3195, Japan) ,  Akabane Hideo (College of Engineering, Ibaraki University, 4-12-1, Nakanarusawa, Hitachi, Ibaraki, 316-8511, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 2  ページ： 025509 (7pp)  発行年： 2020年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,RFマグネトロンスパッタリングにより堆積したTa薄膜の電気抵抗率と抵抗変動を調べ,結晶構造と抵抗変動の間の関係を論じた。膜の抵抗変動はパワースペクトル密度(PSD)において指数挙動を示し,PSDの指数は膜厚に依存した。10nm以下または60nm以下の薄膜のPSDと指数は低く,中間厚さ試料はより高いPSDを示した。中間厚さ試料は歪α相とβ相を持ち,正の相関がべき指数と結晶歪の間で推定される。さらに,2つの歪相の共存に依存する熱拡散経路は,2D薄膜において2次元未満の特性フラクタル様寸法を持つ。数値シミュレーションは,α-Ta粒とβ-Ta粒の共存に由来する熱拡散経路がPSDの指数に関連することを示した。より高い指数は歪相から生じ,これらの薄膜中のPSDの測定は結晶歪の検出を可能にする。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  ゆらぎ ,  *蒸着膜 ,  熱拡散 ,  *スパッタ蒸着 ,  タンタル ,  シミュレーション ,  数値解析 ,  フラクタル ,  電気抵抗率 ,  結晶構造 ,  パワースペクトル密度 ,  二次元 ,  膜厚 ,  数値シミュレーション
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング ,  拡散経路

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (7件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  蒸着 ,  Ta ,  薄膜 ,  熱拡散 ,  ゆらぎ ,  スペクトル