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J-GLOBAL ID:202002239715143286   整理番号:20A0700459

RDL-First FOWLP技術を利用したハイドロゲルフレキシブル基板上への配線形成

Interconnect Formation on Hydrogel Flexible Substrates Using RDL-First FOWLP Technologies
著者 (7件):
資料名:
巻: J103-C  号:ページ: 183-185 (WEB ONLY)  発行年: 2020年03月01日 
JST資料番号: U0472A  ISSN: 1881-0217  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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ハイドロゲルは多量の水を含む架橋高分子材料であり,生体適合性は極めて高い.しかし,成膜後には高温プロセスや真空プロセスを適用することができない.本研究では,Redistribution Layer(RDL)-First Fan-Out Wafer-Level Packaging(FOWLP)技術を応用し,ハイドロゲル上にウェハレベルで微細配線を形成する技術について述べる.(著者抄録)
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