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J-GLOBAL ID：202002239720764748   整理番号：20A2189687

酸性塩化物環境における包装装置上の銅ワイヤボンディング故障の機構研究【JST・京大機械翻訳】

Mechanistic study of copper wire-bonding failures on packaging devices in acidic chloride environments

著者 (7件)： Ross Nick (Interfacial Electrochemistry and Materials Research Lab, Department of Chemistry, University of North Texas, Denton, TX 76203-5017, United States of America) ,  Asokan Muthappan (Interfacial Electrochemistry and Materials Research Lab, Department of Chemistry, University of North Texas, Denton, TX 76203-5017, United States of America) ,  Ashok Kumar Goutham Issac (Interfacial Electrochemistry and Materials Research Lab, Department of Chemistry, University of North Texas, Denton, TX 76203-5017, United States of America) ,  Caperton Joshua (Interfacial Electrochemistry and Materials Research Lab, Department of Chemistry, University of North Texas, Denton, TX 76203-5017, United States of America) ,  Alptekin John (Interfacial Electrochemistry and Materials Research Lab, Department of Chemistry, University of North Texas, Denton, TX 76203-5017, United States of America) ,  Salunke Ashish Shivaji (Interfacial Electrochemistry and Materials Research Lab, Department of Chemistry, University of North Texas, Denton, TX 76203-5017, United States of America) ,  Chyan Oliver M. (Interfacial Electrochemistry and Materials Research Lab, Department of Chemistry, University of North Texas, Denton, TX 76203-5017, United States of America)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 113  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロエレクトロニクス信頼性要求は,自己駆動車とウェアラブルエレクトロニクスの発展により,ほぼゼロppb欠陥の規格に締め付けられている。ワイヤボンディングにおける金(Au)から銅(Cu)への成功した転移は,集積回路(IC)パッケージングにおけるワイヤボンドデバイスに対する腐食関連信頼性問題を導入する。本報告では,低ppmレベルの塩化物(Cl-)汚染に曝露したときのAl結合パッドの腐食破壊に及ぼす二金属接触,Cuワイヤ対アルミニウム(Al)ボンドパッドの影響を調べた。pH5での5~20ppmのCl-溶液中の腐食進行の時間依存観察のために,Cu/Alミクロパターンをシミュレートするため,リアルタイム腐食スクリーニングを行った。Cu/Alバイメタル対中のAlは,二金属接触のないAlに比べて加速速度で腐食した。カソード水素発生は,酸性塩化物溶液中の周辺Cu/Alバイメタル接触の影響下で,この攻撃的Al結合パッド腐食を駆動する重要な因子であることが分かった。このH_2発生反応を防止するためにCuワイヤ表面を化学的に改質するとAl結合パッド腐食が抑制された。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 集積回路 ,  腐食 ,  規格 ,  *故障 ,  信頼性 ,  アルミニウム ,  *銅 ,  *塩化物 ,  *ワイヤボンディング ,  電子技術 ,  *酸性 ,  *金属線 ,  マイクロエレクトロニクス ,  スクリーニング ,  カソード

著者キーワード (5件)： Cuワイヤボンディング ,  接合故障 ,  ガルバニックAl腐食 ,  水素発生 ,  Cu/Alバイメタル接触

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 酸性 ,  塩化物 ,  環境 ,  包装装置 ,  銅 ,  ワイヤボンディング ,  故障 ,  研究