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J-GLOBAL ID：202002239792297225   整理番号：20A1580377

二層MoS_2におけるゲート誘起キャリア蓄積に及ぼす層間積層の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Interlayer Stacking on Gate-Induced Carrier Accumulation in Bilayer MoS₂

著者 (3件)： Maruyama Mina (Department of Physics, Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Japan) ,  Nagashio Kosuke (Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo, Japan) ,  Okada Susumu (Department of Physics, Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Japan)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 2  号： 5  ページ： 1352-1357  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体電子特性を有する原子層材料は電界効果トランジスタ(FET)の伝導チャネルとして注目されている。ここでは,密度汎関数理論(DFT)に基づく第一原理全エネルギー計算を用いて,二重ゲートFETモデルにおける二層MoS_2の電子構造を調べた。著者らの計算は,選択的電子ドーピングがMoS_2層の正と負の電極側の間のバンドオフセットのために垂直電場の下で二分子層MoS_2中で起こることを示した。さらに,ねじれた積層配列による層間相互作用の減少により,二層MoS_2におけるさらなる部分キャリア分布を観測した。正電極側層が伝導チャネルとして働き,他方では,負の電極側層が二層MoS_2-FETにおける遮蔽層として働くことが期待される。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電場 ,  電子構造 ,  半導体 ,  FET【トランジスタ】 ,  二分子層 ,  エネルギー計算 ,  密度汎関数法 ,  バンドオフセット ,  *カソード
準シソーラス用語： 二重ゲート ,  二層 ,  電子ドーピング ,  原子層 ,  *キャリア蓄積 ,  層間相互作用 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： MoS_2 ,  FET ,  電子構造 ,  電子ドーピング ,  層間相互作用 ,  DFT

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二層 ,  ゲート ,  誘起 ,  キャリア蓄積