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J-GLOBAL ID：202002240149759020   整理番号：20A0846620

延長ゲート型a-InGaZnO TFT pHセンサの開発

Development and response evaluation of extended-gate a-InGaZnO TFT ion sensors.

著者 (4件)： 岩松新之輔 (山形県工技セ) ,  竹知和重 (Tianma Japan) ,  田邉浩 (Tianma Japan) ,  渡部善幸 (山形県工技セ)
資料名： 山形県工業技術センター報告  (Reports of Yamagata Research Institute of Technology)
号： 51  ページ： 50-53  発行年： 2020年03月 
JST資料番号： F0568A  ISSN： 0286-813X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛酸化物薄膜トランジスタ(a-InGaZnO TFT)に基づく高感度pHセンサの信頼性を向上させる目的で,ALD-AlO_x/スパッタ-TaO_x層状トップゲート絶縁膜とTi拡張ゲート電極を持つ延長ゲート型a-InGaZnO TFT pHセンサを提案する。本論文では,0.001のpH変化に対するpH感度と応答性を含めて,延長ゲート型a-InGaZnO TFT pHセンサに対する著者らの主要な結果を議論する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  ゲート【半導体】 ,  *薄膜トランジスタ ,  *pHセンサ ,  高感度 ,  信頼性 ,  キャラクタリゼーション ,  感受性 ,  pH依存性 ,  素子構造 ,  ゲート絶縁膜 ,  化学蒸着 ,  酸化アルミニウム
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  延長ゲート ,  pH感度 ,  pH応答性 ,  トップゲート ,  ALD【蒸着】

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (4件)：

• K. Takechi, S. Iwamatsu, T. Yahagi, Y. Watanabe, S. Kobayashi, and H. Tanabe, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.51, No.10R pp.104201-104207 (2012).
• K. Takechi, S. Iwamatsu, T. Yahagi, Y. Abe, S. Kobayashi, and H. Tanabe, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.53, No.7 pp.076702-076707 (2014).
• 岩松新之輔,阿部泰,矢作徹,小林誠也,竹知和重,田邉浩,電気学会論文誌 E, Vol.135, No.6, pp.192-198(2015).
• S. Iwamatsu, K. Takechi, H. Tanabe, and Y. Watanabe, Digest of AM-FPD'18, 5-2 (2018).

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート ,  TFT ,  pHセンサ ,  開発