文献

J-GLOBAL ID：202002240466446124   整理番号：20A2041003

超酸処理単分子層二硫化モリブデンにおける強い光ルミネセンスの光活性化【JST・京大機械翻訳】

Photoactivation of Strong Photoluminescence in Superacid-Treated Monolayer Molybdenum Disulfide

著者 (12件)： Yamada Yuki (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, Osaka, Japan) ,  Shinokita Keisuke (Institute of Advanced Energy, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Okajima Yasuo (Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST), Nara, Japan) ,  Takeda Sakura N. (Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST), Nara, Japan) ,  Matsushita Yuji (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, Osaka, Japan) ,  Takei Kuniharu (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, Osaka, Japan) ,  Yoshimura Takeshi (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, Osaka, Japan) ,  Ashida Atsushi (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, Osaka, Japan) ,  Fujimura Norifumi (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, Osaka, Japan) ,  Matsuda Kazunari (Institute of Advanced Energy, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Kiriya Daisuke (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, Osaka, Japan) ,  Kiriya Daisuke (PRESTO, Japan Science and Technology Agency (JST), Saitama, Japan)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12  号： 32  ページ： 36496-36504  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料を用いた原子的に薄いオプトエレクトロニックの開発を進めるために,物理化学的基礎による強いルミネセンスのエンジニアリングが重要である。半導体単層遷移金属ジカルコゲン化物(TMDC)はこれの候補であるが,それらの量子収率(QY)は乏しいことが知られている。最近,ビス-(トリフルオロメタン)-スルホンイミド(TFSI)の分子超酸処理は,明確に明るい単層TMDCと高いQYを生成した。しかし,この方法は加工条件に大きく依存し,従って一般化されていない。ここでは,TFSI処理単層MoS_2の光ルミネセンス(PL)強度を活性化するための環境因子に光を当て,光活性化による元のものより2桁以上大きな因子を得た。この方法は機械的剥離及び化学的堆積試料の両方に有用である。バンドギャップより大きい光照射の存在はMoS_2のPLの増強を示す。一方,以前の報告で実証されたように,熱アニーリングによる活性化は,PL強度を高めるのに有効でない。光活性化単層MoS_2は,約1.35nsの長い寿命を示し,剥離として元のものより30倍以上の改善を示した。明るい単層MoS_2の一貫した実現は,空気曝露がプロセスにおける必須因子であることを明らかにした。N_2環境におけるTFSI処理は,光活性化後でも強いPLを達成するためには有効ではなかった。これらの発見は,2Dオプトエレクトロニックのための明るい原子的に薄い材料を工学するための基礎として役立つ。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  *光ルミネセンス ,  量子収量 ,  *ルミネセンス ,  光照射 ,  *単分子層 ,  加工条件 ,  物理化学 ,  二次元 ,  単一層 ,  バンドギャップ ,  *超酸 ,  *光活性化 ,  熱アニーリング ,  *硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 二硫化モリブデン ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  超酸 ,  光ルミネセンス ,  励起子 ,  分子治療

分類 (5件)： 塩  (CD01050V) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸処理 ,  単分子層 ,  硫化モリブデン ,  光ルミネセンス ,  光活性化