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J-GLOBAL ID：202002242002808662   整理番号：20A0885223

近接間隔蒸着による高(001)配向BaSi_2膜の反応性堆積成長【JST・京大機械翻訳】

Reactive deposition growth of highly (001)-oriented BaSi₂ films by close-spaced evaporation

著者 (5件)： Hara Kosuke O. (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan) ,  Takizawa Shuhei (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan) ,  Yamanaka Junji (Center for Instrumental Analysis, University of Yamanashi, 4-4-37 Takeda, Kofu, Yamanashi 400-8510, Japan) ,  Usami Noritaka (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Arimoto Keisuke (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 113  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二けい化バリウム(BaSi2)は,地球に豊富な薄膜太陽電池のための新しい光吸収材料である。ここでは,近間隔蒸発によるBaSi2膜のスケーラブルで迅速な堆積について報告する。この方法において,BaAl4-Ni蒸発源はBaガスを発生させ,それは近接して配置されたSi(001)基板上に堆積される。堆積したBa原子とSi基板の間の反応は,X線回折とAuger電子分光法によって証明されたように,深さを通して組成的に均一なBaSi2膜をもたらす。現在のBaSi2膜は熱歪によって引き起こされる亀裂と剥離の問題を被るが,反射器を用いて基板温度を下げることによって剥離を抑制することに成功した。Electron後方散乱回折とX線回折分析は,BaSi2膜の優先配向が(001)であることを示した。68μm以上のかなり大きな単一配向領域が観察され,これは以前に報告されたBaSi2膜の中で最大である。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  Auger分光法 ,  後方散乱 ,  *蒸着 ,  太陽電池 ,  X線回折分析 ,  蒸発 ,  基板温度 ,  優先配向 ,  回折 ,  ケイ化物 ,  反射器 ,  *バリウム ,  亀裂 ,  半導体

著者キーワード (4件)： シリサイド半導体 ,  ケイ化バリウム ,  熱蒸発 ,  太陽電池

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 蒸着 ,  高 ,  配向 ,  反応性 ,  堆積 ,  成長