有元圭介

アリモトケイスケ | Keisuke Arimoto

所属機関・部署：
職名：准教授
ホームページURL (1件)： http://www.inorg.yamanashi.ac.jp/ccst/laboratories/nakagawa-lab/

研究分野 (2件)：結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (5件)： SiGe , シリコンゲルマニウム , 応用物性・結晶工学 , Semiconductor Physics , SiGe Heterostructure Devices

競争的資金等の研究課題 (18件)：

全件表示

論文 (87件)：

Taisuke Fujisawa, Atsushi Onogawa, Miki Horiuchi, Yuichi Sano, Chihiro Sakata, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa, Keisuke Arimoto. Influences of lattice strain and SiGe buffer layer thickness on electrical characteristics of strained Si/SiGe/Si(110) heterostructures. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023. 161. 107476-107476
Low temperature synthesis of photoconductive BaSi2 films via mechanochemically assisted close-spaced evaporation. Mater. Adv. 2021. 2. 6713-6721
Junji Yamanaka, Daisuke Izumi, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kosuke Hara, Keisuke Arimoto. Discrimination between Coherent and Incoherent Interfaces using STEM Moiré. MICROSCOPY AND MICROANALYSIS. 2021. 27. 2326-2327
Dependences of the hole mobility in the strained Si pMOSFET and gated Hall bars formed on SiGe/Si(110) on the channel direction and the strained Si thickness. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2021. 571. 126246
Daisuke Yazawa, Kosuke O. Hara, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto. Investigations on Ba diffusion and SiO evaporation during BaSi2 film formation on Si substrates by thermal evaporation. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A. 2021. 39. 043410

MISC (34件)：

特許 (1件)：

講演・口頭発表等 (112件)：

反射・透過型エリプソメトリー計測における透明基板内反射影響
(第69回応用物理学会春季学術講演会 2022)
歪みSi/緩和 SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETの高正孔移動度化とリーク電流の低減
(第69回応用物理学会春季学術講演会 2022)
機械学習を用いたBaSi2蒸着膜の組成比予測モデルの予測精度改善
(第69回応用物理学会春季学術講演会 2022)
Si基板上BaSi2近接蒸着膜の実効キャリア寿命
(第69回応用物理学会春季学術講演会 2022)
2段集束レンズ TEM を用いた NBD による SiGe 面間隔評価の試行
(日本顕微鏡学会第64回シンポジウム 2021)

学歴 (4件)：

学位 (2件)：

経歴 (5件)：

受賞 (1件)：

所属学会 (2件)：

応用物理学会 , The Japan Society of Applied Physics

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

有元 圭介