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J-GLOBAL ID：202002242169684213   整理番号：20A2223232

Gm-Cフィルタの設計に適用した実験的シリコントンネル-FETデバイスモデル【JST・京大機械翻訳】

Experimental silicon tunnel-FET device model applied to design a Gm-C filter

著者 (5件)： Rangel R S ( LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil) ,  Rangel R S ( ECE, University of Toronto, Toronto, Canada) ,  Agopian P G D ( LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil) ,  Agopian P G D ( UNESP, Sao Paulo State University, Sao Joao da Boa Vista, Brazil) ,  Martino J A ( LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 9  ページ： 095029 (7pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,シリコントンネル電界効果トランジスタ(TFET)デバイスの実験データを用いたGm-Cフィルタの設計を示した。応用は,Si TFETデバイスの低g_mの利点を利用し,例えば,生物医学応用において,最適化低カットオフ周波数フィルタを希望する。入力として実験装置データを用いて,ルックアップテーブルモデルを用い,測定と比較して正確な応答を有することが報告されている。Gm-Cフィルタの主要部分である演算増幅器回路の設計を示し,2段トポロジーによる約100dBの電圧利得を得た。このフィルタは,36nW極-1電力消費で100Hzカットオフ周波数応答を示し,これはCMOS技術を用いた最近報告された設計と比較して顕著な改善を示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  最適化 ,  周波数応答 ,  フィルタ ,  電力消費 ,  演算増幅器 ,  *固体素子モデル ,  遮断周波数 ,  ルックアップテーブル
準シソーラス用語： 電圧利得 ,  カットオフ ,  CMOS技術 ,  トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  光導電素子  (NC03083X) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 設計 ,  実験 ,  シリコン ,  トンネル ,  FET ,  デバイスモデル