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J-GLOBAL ID：202002242211185092   整理番号：20A0809632

シリコンの二段階局所酸化に基づくKOHエッチングの信頼できる適合性を有する修飾Au/バルクSi共晶結合構造【JST・京大機械翻訳】

Modified Au/bulk Si eutectic bonding structure with reliable compatibility of KOH etching based on two-step local oxidation of silicon

著者 (3件)： Liang Hengmao (Science and Technology on Microsystem Laboratory, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, No.865 Changning Road, Shanghai 200050, People’s Republic of China) ,  Liang Hengmao (University of Chinese Academy of Sciences (UCAS), No.19(A) Yuquan Road, Beijing 100049, People’s Republic of China) ,  Xiong Bin (Science and Technology on Microsystem Laboratory, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, No.865 Changning Road, Shanghai 200050, People’s Republic of China)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 5  ページ： 055017 (8pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： KOHエッチングとAu/Si接合は,3Dデバイス作製の小型化と集積化のための主に費用効率の高い技術である。従来のAu/バルクSi結合とKOHエッチングの間の不適合性の観点から,改良Au/バルクSi共晶接合構造を提案し,本研究で検証した。シリコンプロセスの局所酸化に触発されて,KOHエッチングにおいて脆弱なAu/Si共晶反応界面は,二段階熱酸化プロセスにより酸化物層で保護される。IR,SEM及びEDS分析に基づいて,異なるエッチング性能を異なるプロセスパラメータで調べ,二段階酸化厚さを選択することが重要な役割を果たした。特に,SiのシリカへのKOHエッチング比を考慮すると,第一段階酸化厚さは第二段階酸化よりも1.273倍大きくなければならない。さらに,引張試験から得られた接着強度(~23MPa)の平均床レベルは,包装,構造支持などにおける改質Au/バルクSi結合構造のかなりの応用可能性を示した。本研究は,湿式エッチングプロセスに適したもう一つのSi基共晶接合技術に対する類推戦略を提供した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 二酸化ケイ素 ,  *共晶 ,  引張試験 ,  *エッチング ,  共晶反応 ,  類推 ,  三次元 ,  *金 ,  プロセスパラメータ ,  *ケイ素 ,  接着強さ ,  小型化 ,  接合 ,  界面 ,  *酸化

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (12件)： シリコン ,  段階 ,  局所酸化 ,  KOH ,  エッチング ,  信頼 ,  適合性 ,  修飾 ,  Au ,  バルク ,  Si ,  共晶