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J-GLOBAL ID：202002242795455357   整理番号：20A2245510

Tiキャッピング層の有無でのサファイア基板に直接析出したグラフェンのX線その場観察【JST・京大機械翻訳】

X-ray in situ observation of graphene precipitating directly on sapphire substrate with and without Ti capping layer

著者 (9件)： Naritsuka Shigeya (Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Yamada Jumpei (Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Ueda Yuki (Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Nakashima Asato (Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Kashio Tatsuya (Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Maruyama Takahiro (Department of Applied Chemistry, Meijo University Nagoya 468-8502, Japan) ,  Fujikawa Seiji (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Hyogo 679-5148, Japan) ,  Sasaki Takuo (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Hyogo 679-5148, Japan) ,  Takahasi Masamitu (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Hyogo 679-5148, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 549  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シンクロトロン放射施設からのX線ビームを用いて,Tiキャップ層の有無でのNi触媒からのグラフェンの析出機構を研究するために,その場X線回折測定を行った。Tiキャップ層の無い場合,グラフェンは触媒の表面上に析出し,一方,Tiキャップ層の場合,触媒とサファイア基板の間の界面で析出した。グラフェン核形成と析出のような各プロセスは,金属触媒下で沈殿したグラフェンでもモニターできた。両ケースの詳細な機構を実験結果を用いて考察した。その結果,触媒の結晶化は低温で析出を効果的に抑制し,沈殿グラフェンの品質を改善するのに有用であることが分かった。炭素量の調整は,炭素が触媒を飽和後,グラフェンが沈殿するので,沈殿を正確に制御するための別の重要因子である。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  界面 ,  核形成 ,  結晶化 ,  低温 ,  炭素 ,  *チタン ,  ニッケル ,  沈殿 ,  *その場観察 ,  金属触媒 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *キャップ層 ,  *サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ナノ材料(B1) ,  固相エピタキシー(A_3) ,  X線回折(A1) ,  成長モデル(A1) ,  低次元構造(A1)

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ti ,  キャッピング層 ,  サファイア基板 ,  析出 ,  グラフェン ,  X線 ,  その場観察