Gotoh Yasuhito について
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan について
Tsuji Hiroshi について
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan について
Nagao Masayoshi について
Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Japan について
Masuzawa Tomoaki について
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan について
Neo Yoichiro について
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan について
Mimura Hidenori について
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan について
Okamoto Tamotsu について
Kisarazu College, National Institute of Technology, Kisarazu, Japan について
Igari Tomoya について
Kisarazu College, National Institute of Technology, Kisarazu, Japan について
Akiyoshi Masafumi について
Radiation Research Center, Osaka Prefecture University, Sakai, Japan について
Sato Nobuhiro について
Institute for Integrated Radiation and Nuclear Science, Kyoto University, Kumatori, Japan について
Takagi Ikuji について
Department of Nuclear Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan について
IEEE Transactions on Electron Devices について
γ線照射 について
光起電力 について
ダイオード について
電界放出 について
電流電圧特性 について
硫化カドミウム について
放射線量 について
テルル化カドミウム について
照射線量 について
イメージセンサ について
廃止措置 について
検出能 について
福島第一原子力発電所 について
電界エミッタアレイ について
ダイオード について
ガンマ線照射 について
耐性 について
電界放出 について
画像センサ について
開発 について