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J-GLOBAL ID:202002246650097479   整理番号:20A0978217

垂直勾配凍結法により成長させた高品質AgGaS_2単結晶上の中間不純物の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of intermediate impurities on high quality AgGaS2 single crystal grown by vertical gradient freezing method
著者 (4件):
資料名:
巻: 539  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,合成AgGaS_2多結晶および成長AgGaS_2単結晶上の中間不純物を,AgGaS_2上の中間不純物を特性化するための作業可能な方法として推奨されるX線光電子分光法(XPS)によって研究した。一方,それらの不純物成分の含有量は,通常のX線回折(XRD)測定を用いて検出できなかった。一方,XRD,エネルギー分散分光計(EDS)およびFourier変換赤外分光分析(FTIR)を用いてAgGaS_2結晶の品質を特性化した。結果は,高赤外透過率と良好な均一性を有するAgGaS_2結晶が首尾よく得られたことを示した。しかし,XPSの結果は,異なる含有量と種類を持つ中間不純物がAgGaS_2多結晶とAgGaS_2単結晶の両方に存在し,中間体の減少がその光学的性質の改善をもたらすことを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長  ,  その他の無機化合物の結晶成長 

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