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J-GLOBAL ID：202002246832288687   整理番号：20A2501613

液体注入MOCVDを用いたサファイア基板上のα-およびβ-Ga_2O_3エピタキシャル層の成長【JST・京大機械翻訳】

Growth of α- and β-Ga₂O₃ epitaxial layers on sapphire substrates using liquid-injection MOCVD

著者 (9件)： Egyenes-Porsok F ( Institute of Electrical Engineering SAS, Dubravska cesta 9, 84104, Bratislava, Slovakia) ,  Gucmann F ( Institute of Electrical Engineering SAS, Dubravska cesta 9, 84104, Bratislava, Slovakia) ,  Husekova K ( Institute of Electrical Engineering SAS, Dubravska cesta 9, 84104, Bratislava, Slovakia) ,  Dobrocka E ( Institute of Electrical Engineering SAS, Dubravska cesta 9, 84104, Bratislava, Slovakia) ,  Sobota M ( Institute of Electrical Engineering SAS, Dubravska cesta 9, 84104, Bratislava, Slovakia) ,  Sobota M ( Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkovicova 3, 81219, Bratislava, Slovakia) ,  Mikolasek M ( Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkovicova 3, 81219, Bratislava, Slovakia) ,  Frohlich K ( Institute of Electrical Engineering SAS, Dubravska cesta 9, 84104, Bratislava, Slovakia) ,  Tapajna M ( Institute of Electrical Engineering SAS, Dubravska cesta 9, 84104, Bratislava, Slovakia)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 11  ページ： 115002 (10pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドバンドギャップ半導体材料であるGa_2O_3は,電力および高電圧電子デバイスのための大きな可能性を提供する。サファイア基板上に液体注入有機金属化学蒸着(LI-MOCVD)を用いた非ドープα-およびβ-相Ga_2O_3の成長について報告する。700°Cの同じ前駆体(ガリウムアセチルアセトネートと堆積温度を用いて,相選択をサファイア基板配向によって制御し,α-とβ-相Ga_2O_3の成長をm-とc-面表面上でそれぞれ達成した。X線回折から推定したように,α-Ga_2O_3膜はエピタキシャル特性を示すが,β-Ga_2O_3膜は高度に組織化された構造を示す。また,酸素流は,調べた流速に対するα-Ga_2O_3の相純度に強い影響を与えることが分かった。異なる酸素流量で成長させた層の光学的および電気的特性も系統的に研究した。比較的高い堆積温度でのα相Ga_2O_3層のLI-MOCVD成長は,Ga_2O_3系電子および光電子素子の高温処理を広げる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *エピタクシー ,  電力 ,  電気的性質 ,  酸素 ,  純度 ,  ドーピング ,  流速 ,  α相 ,  前駆体 ,  *MOCVD
準シソーラス用語： *サファイア基板 ,  ワイドギャップ半導体 ,  酸素流量 ,  *エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 注入 ,  MOCVD ,  サファイア基板 ,  エピタキシャル層 ,  成長