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J-GLOBAL ID：202002247539802988   整理番号：20A0609384

単結晶立方基板上のアルミニウム誘起結晶化によるシリコン薄膜の表面方位制御【JST・京大機械翻訳】

Surface-orientation control of silicon thin films via aluminum-induced crystallization on monocrystalline cubic substrates

著者 (12件)： Hainey Mel (Department of Materials Process Engineering, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Hainey Mel (Department of Materials Science and Engineering, University of California-Los Angeles, Los Angeles, USA) ,  Hainey Mel (Polytech Cleremont-Ferrand, Universite Clermont Auvergne, 63172 Aubiere cedex, France) ,  Zhou Eddie (Chenhui) (Department of Materials Process Engineering, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Zhou Eddie (Chenhui) (Department of Materials Science and Engineering, University of California-Los Angeles, Los Angeles, USA) ,  Zhou Eddie (Chenhui) (Polytech Cleremont-Ferrand, Universite Clermont Auvergne, 63172 Aubiere cedex, France) ,  Viguerie Loic (Department of Materials Process Engineering, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Viguerie Loic (Department of Materials Science and Engineering, University of California-Los Angeles, Los Angeles, USA) ,  Viguerie Loic (Polytech Cleremont-Ferrand, Universite Clermont Auvergne, 63172 Aubiere cedex, France) ,  Usami Noritaka (Department of Materials Process Engineering, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Usami Noritaka (Department of Materials Science and Engineering, University of California-Los Angeles, Los Angeles, USA) ,  Usami Noritaka (Polytech Cleremont-Ferrand, Universite Clermont Auvergne, 63172 Aubiere cedex, France)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 533  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 均一なSi(111)表面配向(>95%)を有するシリコン薄膜を,アルミニウム誘起結晶化により非晶質基板上に作製した。しかし,Si(100)配向膜はほとんど同じ程度の均一性で作製されていない。50nm以下のAlとSiの厚さに対して,Si核形成はAl/基板界面で開始することが以前に提案されており,立方(100)配向基板が高度に均一なSi(100)配向薄膜作製を促進できることを示唆している。二つの単結晶(100)配向基板,チタン酸ストロンチウムとゲルマニウムを用いて,基板表面配向と表面終端がアルミニウム誘起結晶化により作製したシリコン薄膜の結晶化と優先配向にどのように影響するかを実証した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *単結晶 ,  核形成 ,  多結晶 ,  非晶質 ,  ケイ素 ,  *半導体薄膜 ,  酸化物 ,  方向制御 ,  半導体 ,  優先配向 ,  *アルミニウム ,  チタン酸ストロンチウム ,  *結晶化 ,  ゲルマニウム ,  界面
準シソーラス用語： シリコン(100) , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1 界面 ,  B2 半導体シリコン ,  A3 多結晶堆積 ,  B1 酸化物 ,  B2 半導体ゲルマニウム ,  A3 固相エピタクシー

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単結晶 ,  アルミニウム ,  誘起 ,  結晶化 ,  シリコン薄膜 ,  方位制御