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J-GLOBAL ID:202002247618836435   整理番号:20A2238445

Pイオン注入ダイヤモンドに対する高温高圧処理

High pressure and high temperature treatment on P ion implanted diamond
著者 (9件):
資料名:
巻: 67th  ページ: ROMBUNNO.14a-D221-2  発行年: 2020年02月28日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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【はじめに】ダイヤモンドは,高い絶縁破壊電界,熱伝導度,移動度など優れた物性を持つ.しかし,人エダイヤモンドには不純物や欠陥が多く,導電性制御するドーピングが難しいことから半導体としての性質を示すのは困難である.また,高温・高圧合成ダイヤモ...【本文一部表示】
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固体デバイス材料 
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