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J-GLOBAL ID：202002247618836435   整理番号：20A2238445

Pイオン注入ダイヤモンドに対する高温高圧処理

High pressure and high temperature treatment on P ion implanted diamond

著者 (9件)： 福田玲 (愛媛大 工) ,  村上洋平 (愛媛大 工) ,  石川史太郎 (愛媛大 工) ,  石川史太郎 (愛媛大 GRC) ,  松下正史 (愛媛大 工) ,  松下正史 (愛媛大 GRC) ,  新名亨 (愛媛大 GRC) ,  大藤弘明 (愛媛大 GRC) ,  入舩徹男 (愛媛大 GRC)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.14a-D221-2  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】ダイヤモンドは,高い絶縁破壊電界,熱伝導度,移動度など優れた物性を持つ.しかし,人エダイヤモンドには不純物や欠陥が多く,導電性制御するドーピングが難しいことから半導体としての性質を示すのは困難である.また,高温・高圧合成ダイヤモ...【本文一部表示】

シソーラス用語： *高温 ,  超高圧 ,  電場 ,  熱伝導率 ,  半導体 ,  半導体素子 ,  不純物 ,  *ダイヤモンド ,  *イオン注入 ,  非晶質 ,  ドーピング ,  結晶度 ,  化学蒸着 ,  原子間力顕微鏡 ,  導電性

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： Pイオン ,  注入 ,  ダイヤモンド ,  高温高圧