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J-GLOBAL ID：202002248425870333   整理番号：20A1192359

透明SiC基板上の遷移金属窒化物エピタクシー中の成長誘起温度変化【JST・京大機械翻訳】

Growth-induced temperature changes during transition metal nitride epitaxy on transparent SiC substrates

著者 (6件)： Scott Katzer Douglas (U.S. Naval Research Laboratory, Electronics Science and Technology Division, 4555 Overlook Avenue, S.W., Washington, DC 20375-5347) ,  Hardy Matthew T. (U.S. Naval Research Laboratory, Electronics Science and Technology Division, 4555 Overlook Avenue, S.W., Washington, DC 20375-5347) ,  Nepal Neeraj (U.S. Naval Research Laboratory, Electronics Science and Technology Division, 4555 Overlook Avenue, S.W., Washington, DC 20375-5347) ,  Downey Brian P. (U.S. Naval Research Laboratory, Electronics Science and Technology Division, 4555 Overlook Avenue, S.W., Washington, DC 20375-5347) ,  Jin Eric N. (U.S. Naval Research Laboratory, Electronics Science and Technology Division, 4555 Overlook Avenue, S.W., Washington, DC 20375-5347) ,  Meyer David J. (U.S. Naval Research Laboratory, Electronics Science and Technology Division, 4555 Overlook Avenue, S.W., Washington, DC 20375-5347)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 38  号： 3  ページ： 032204-032204-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 拡散反射率に基づく非接触バンド端温度測定を用いて,透明な広バンドギャップ炭化ケイ素基板上の窒化ニオブ遷移金属窒化物のMBE成長中の基板温度上昇を監視し,制御した。135°Cの大きさの温度過渡現象が主基板シャッタ状態の変化により誘起された。約5nmの薄い窒化ニオブ膜の成長は240°Cの温度上昇をもたらした。さらに,窒化ニオブ上の超広バンドギャップAlN膜の成長中の温度低下を観察し,特性化した。観測された温度エクスカーションの原因をStefan-Boltzmann則を考慮して説明し,基板温度をより良く制御する方法を論じた。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  温度測定 ,  過渡現象 ,  シャッタ ,  温度変動 ,  窒化アルミニウム ,  エクスカーション ,  キャラクタリゼーション ,  MBE成長 ,  昇温 ,  基板温度 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： NbN ,  拡散反射率 ,  バンド端 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC基板 ,  遷移 ,  金属窒化物 ,  エピタクシー ,  成長 ,  誘起 ,  温度変化