AB積層三層グラフェンのアンチドット格子における多バンドバリスティック輸送と異方的なコメンシュラビリティ磁気抵抗

TAJIMA Shingo; EBISUOKA Ryoya; WATANABE Kenji; TANIGUCHI Takashi; YAGI Ryuta

文献

J-GLOBAL ID：202002251233560938 整理番号：20A0895154

AB積層三層グラフェンのアンチドット格子における多バンドバリスティック輸送と異方的なコメンシュラビリティ磁気抵抗

Multiband Ballistic Transport and Anisotropic Commensurability Magnetoresistance in Antidot Lattices of AB-stacked Trilayer Graphene

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資料名：
巻： 89 号： 4 ページ： 044703.1-044703.8 発行年： 2020年04月15日
JST資料番号： G0509A ISSN： 0031-9015 CODEN： JUPSA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

AB積層三層グラフェンのアンチドット格子から成る多バンド系のバリスティック輸送を研究した。低温磁気抵抗は,AB積層三層グラフェンにおける各々単層型と二層型のバンドに対するアンチドット格子周期とサイクロトロン軌道の半径の整合性から生じるコメンシュラビリティピークを示した。単層型バンドのコメンシュラビリティピークは,二層型バンドのピークよりも低磁場で現れた。これは,二層型バンドのFermi面が単層型バンドのFermi面も大きい事実を反映している。グラフェンの結晶軸に相対的なアンチドット格子の回転から,異方性磁気抵抗が生じ,これは二層型バンドの三角形に歪んだFermi面を反映している。磁気抵抗の数値シミュレーションにより,単層型と二層型のバンドのバリスティック輸送を仮定して,観測された磁気抵抗の特徴を近似的に再現した。単層型バンドは,そのキャリア密度は二層型バンドのキャリア密度よりも1桁低いが,伝導率に大きく寄与することが分かった。これらの結果は,バリスティック輸送実験が多バンド系の異方性バンド構造の研究に使えることを示している。(翻訳著者抄録)

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その他の無機化合物の電気伝導

引用文献 (71件)：

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