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J-GLOBAL ID：202002252363049629   整理番号：20A0487435

ミスト化学蒸着により成長させたm面サファイア基板上のSnドープα-Ga_2O_3膜の電気的性質【JST・京大機械翻訳】

Electrical Properties of Sn-Doped α-Ga₂O₃ Films on m-Plane Sapphire Substrates Grown by Mist Chemical Vapor Deposition

著者 (6件)： Akaiwa Kazuaki (Department of Information and Electronics Engineering, Tottori University, 4-101 Koyamatyo-minami, Tottori, 680-8552, Japan) ,  Ota Katsuya (Department of Information and Electronics Engineering, Tottori University, 4-101 Koyamatyo-minami, Tottori, 680-8552, Japan) ,  Sekiyama Takahito (Department of Information and Electronics Engineering, Tottori University, 4-101 Koyamatyo-minami, Tottori, 680-8552, Japan) ,  Abe Tomoki (Department of Information and Electronics Engineering, Tottori University, 4-101 Koyamatyo-minami, Tottori, 680-8552, Japan) ,  Shinohe Takashi (FLOSFIA Corp., Kyodai Katsura Venture Plaza North Bldg., 1-36, Goryo ohara, Nishikyo-ku, Kyoto, 615-8245, Japan) ,  Ichino Kunio (Department of Information and Electronics Engineering, Tottori University, 4-101 Koyamatyo-minami, Tottori, 680-8552, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 217  号： 3  ページ： e1900632  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ミスト化学蒸着(ミストCVD)によるm面サファイア上の導電性Snドープα-Ga_2O_3膜の成長と電気的性質を示した。結晶性は,c面サファイア上の以前に報告されたα-Ga_2O_3膜と比較してまだ劣っているが,m面サファイア基板上の高結晶性α-Ga_2O_3膜は,二段階成長法を適用することにより成長した。Snドープα-Ga_2O_3膜のキャリア濃度を,ソース溶液中のSn/Ga濃度比を変えることにより,10~17~10~19cm-3の範囲で制御した。2μmの厚さをもつm面サファイア上のα-GA_2O_3膜は65cm2(Vs)-1の高い移動度を示し,c面サファイア上に成長させた膜において以前に報告された24cm2(Vs)-1よりはるかに高い。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ドーピング ,  *ミスト ,  導電性 ,  コランダム ,  電気的性質 ,  酸化ガリウム ,  移動度 ,  *スズ ,  キャリア密度 ,  *化学蒸着 ,  *ガリウム ,  *サファイア ,  結晶度
準シソーラス用語： ミストCVD ,  *サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： コランダム構造相 ,  電気的性質 ,  酸化ガリウム ,  ミスト化学蒸着

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： ミスト ,  化学蒸着 ,  成長 ,  サファイア基板 ,  Sn ,  ドープ ,  電気的性質