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J-GLOBAL ID：202002253927014730   整理番号：20A2238449

ダイヤモンドSchottky-pnダイオードの低温における電気特性のn層膜厚依存性

Study of n-layer Thickness Effects on Low temperature Electrical Characteristics of Diamond Schottky-pn Diodes

著者 (11件)： 唐澤歩睦 (筑波大) ,  牧野俊晴 (筑波大) ,  牧野俊晴 (産業技術総合研) ,  TRAORE A. (筑波大) ,  加藤宙光 (産業技術総合研) ,  小倉政彦 (産業技術総合研) ,  加藤有香子 (産業技術総合研) ,  竹内大輔 (産業技術総合研) ,  山崎聡 (筑波大) ,  山崎聡 (産業技術総合研) ,  櫻井岳暁 (筑波大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.14a-D221-6  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 緒言.ダイヤモンドは高い絶縁破壊電界や高い熱伝導率等の優れた材料物性から究極の半導体といわれ、次世代パワーデバイス材料として注目されている。一方で、p,n型の不純物準位が深いことから室温ではキャリアが励起しにくいという欠点がある。この欠点を...【本文一部表示】

シソーラス用語： *ダイオード ,  *低温 ,  電圧 ,  電流 ,  半導体 ,  不純物 ,  不純物準位 ,  *ダイヤモンド ,  ホウ素 ,  温度依存性 ,  ドーピング ,  電流密度 ,  *電気特性 ,  価電子バンド ,  ホッピング伝導

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： ダイヤモンド ,  PN ,  ダイオード ,  低温 ,  電気特性 ,  膜厚依存性