文献

J-GLOBAL ID：202002254521648840   整理番号：20A0869493

酸化物粒界における電子バンド構造の直接測定【JST・京大機械翻訳】

Direct Measurement of Electronic Band Structures at Oxide Grain Boundaries

著者 (13件)： Wei Jiake (Institute of Engineering Innovation, The University of Tokyo, Japan) ,  Ogawa Takafumi (Nanostructures Research Laboratory, Japan Fine Ceramics Center, Japan) ,  Feng Bin (Institute of Engineering Innovation, The University of Tokyo, Japan) ,  Yokoi Tatsuya (Department of Materials Physics, Nagoya University, Japan) ,  Ishikawa Ryo (Institute of Engineering Innovation, The University of Tokyo, Japan) ,  Ishikawa Ryo (Japan Science and Technology Agency, PRESTO, Japan) ,  Kuwabara Akihide (Nanostructures Research Laboratory, Japan Fine Ceramics Center, Japan) ,  Matsunaga Katsuyuki (Nanostructures Research Laboratory, Japan Fine Ceramics Center, Japan) ,  Matsunaga Katsuyuki (Department of Materials Physics, Nagoya University, Japan) ,  Shibata Naoya (Institute of Engineering Innovation, The University of Tokyo, Japan) ,  Shibata Naoya (Nanostructures Research Laboratory, Japan Fine Ceramics Center, Japan) ,  Ikuhara Yuichi (Institute of Engineering Innovation, The University of Tokyo, Japan) ,  Ikuhara Yuichi (Nanostructures Research Laboratory, Japan Fine Ceramics Center, Japan)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 20  号： 4  ページ： 2530-2536  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶粒界(GB)は,バルクから異なる原子と電子構造を持つので,多結晶材料の巨視的性質を調節する。GB原子構造の理解に関する進歩にもかかわらず,局在化電子バンド構造の知識はまだ不足している。ここでは,走査透過型電子顕微鏡と原子価電子エネルギー損失分光法(EELS)により,α-Al_2O_3中の4つの典型的なGBsの原子構造とバンドギャップを実験的に特性化した。バルク中の8.8eVと比較して,GBのバンドギャップは0.5~2.1eV狭くなることが分かった。コア損失EELSを第一原理計算と組み合わせることにより,バンドギャップ減少がGBsにおけるAlとOイオンの配位数の減少と直接相関することを明らかにした。これらの結果は,GBに対する局所原子と電子バンド構造の間の深い理解を提供し,結晶欠陥に対する新しい電子構造解析を実証した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  *結晶粒界 ,  格子欠陥 ,  電子顕微鏡観察 ,  電子構造 ,  アルミニウム ,  *酸化物 ,  原子価 ,  原子構造 ,  多結晶 ,  磁損 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  配位数 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  *電子バンド構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バンドギャップ ,  粒界 ,  原子価EELS ,  幹 ,  α-Al_2O_3

分類 (5件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  励起子  (BM02120E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化物 ,  粒界 ,  電子バンド構造 ,  直接測定