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J-GLOBAL ID：202002254915044818   整理番号：20A0007760

ボッシュエッチングプロセスのプロファイルによる貫通シリコンの特性評価のための分光反射測定【JST・京大機械翻訳】

Spectroscopic reflectometry for characterization of Through Silicon Via profile of Bosch etching process

著者 (8件)： Bauer Joachim (Technical University of Applied Sciences Wildau, Hochschulring 1, 15745 Wildau, Germany) ,  Fursenko Oksana (IHP-Leibniz-Institut fuer innovative Mikroelektronik, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Marschmeyer Steffen (IHP-Leibniz-Institut fuer innovative Mikroelektronik, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Heinrich Friedhelm (Technical University of Applied Sciences Wildau, Hochschulring 1, 15745 Wildau, Germany) ,  Villasmunta Francesco (Technical University of Applied Sciences Wildau, Hochschulring 1, 15745 Wildau, Germany) ,  Villringer Claus (Technical University of Applied Sciences Wildau, Hochschulring 1, 15745 Wildau, Germany) ,  Zesch Christoph (Technical University of Applied Sciences Wildau, Hochschulring 1, 15745 Wildau, Germany) ,  Schrader Sigurd (Technical University of Applied Sciences Wildau, Hochschulring 1, 15745 Wildau, Germany)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 37  号： 6  ページ： 062205-062205-6  発行年： 2019年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンビア(TSV)技術は,ビアを用いた相互接続の生成による回路の3D集積化におけるキーであり,それは完全なシリコンウエハを通過する。典型的には,高選択的Bosh Siエッチングプロセスを用いた。それは高いアスペクト比で高いエッチ速度により特性化され,側壁上のホタテガイが生成される。本研究では,寸法が3~50μmで,深さが300μmまでのアレイを介した正方形を作製し,分光反射測定により解析した。反射率データを新しい理論的アプローチによるシミュレーションと比較した。TSVアレイの反射スペクトルをシミュレートするために,2Dと3Dの厳密結合波解析の組合せを適用した。このモデルにおいて,バイア深さ,側壁角および底部プロファイルのコーナ半径を考慮した。TSV計測におけるスペクトル分解能に関する一般的要件を論じた。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 反射率 ,  相互接続 ,  ホタテガイ ,  アスペクト比 ,  スペクトル分解 ,  二次元 ,  *ケイ素 ,  三次元 ,  反射スペクトル ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  シリコンウエハ ,  三次元集積化 ,  *分光反射 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光学的測定とその装置一般  (BD07010S)

タイトルに関連する用語 (4件)： プロファイル ,  シリコン ,  特性評価 ,  分光反射