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J-GLOBAL ID：202002255569103696   整理番号：20A0007727

垂直形状β-Ga_2O_3Schottky整流器の順方向バイアス劣化と熱シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Forward bias degradation and thermal simulations of vertical geometry β-Ga₂O₃ Schottky rectifiers

著者 (6件)： Xian Minghan (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  Elhassani Randy (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  Fares Chaker (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  Ren Fan (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  Tadjer Marko (US Naval Research Laboratories, Washington, DC 20375) ,  Pearton S. J. (Department of Material Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 37  号： 6  ページ： 061205-061205-6  発行年： 2019年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々のサイズの垂直形状β-Ga_2O_3Schottky整流器を,逆バイアス絶縁破壊電圧の突然の減少が観察されるまで,高い順方向電流密度レベルで意図的にストレスをかけた。3.5×10~16cm-3のキャリア濃度をもつハロゲン化物気相エピタクシーにより成長させた10μmエピ層をもつSnドープ(n=3.6×10~18cm~3)(001)β-Ga_2O_3単結晶基板上にダイオードを作製した。順方向バイアス印加は,Ni/Au Schottky接触とGa_2O_3の低い熱伝導率によるエピタキシャル層の両方に対して,逆破壊劣化と熱誘起破壊を引き起こした。異なる電流条件下での順方向バイアスにおける温度分布を,3D有限要素解析を用いてシミュレートした。整流器ターンオン期間中の表面の温度分布は結晶方位に強く依存し,赤外カメラ測定により証明された。最大接合温度上昇は金属接触の中心で起こり,270~350°Cの範囲にあった。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドーピング ,  電流密度 ,  赤外線カメラ ,  キャリア密度 ,  結晶方位 ,  *整流器 ,  温度分布 ,  ハロゲン化物 ,  ターンオン ,  熱伝導率 ,  気相成長 ,  ダイオード ,  バイアス ,  電流
準シソーラス用語： 逆バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 整流器 ,  順 ,  バイアス ,  熱シミュレーション