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J-GLOBAL ID：202002256360194607   整理番号：20A2698437

熱刺激電流分光法により研究したPLD成長IGZO(In_2Ga_2Zn_5O_11)薄膜における深い準位欠陥とそれらの不安定性【JST・京大機械翻訳】

Deep level defects and their instability in PLD-grown IGZO (In₂Ga₂Zn₅O₁₁) thin films studied by thermally stimulated current spectroscopy

著者 (6件)： Wang Buguo (Semiconductor Research Center, Wright State University, Dayton, OH, 45435, United States of America) ,  Look David (Semiconductor Research Center, Wright State University, Dayton, OH, 45435, United States of America) ,  Look David (Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, OH, 45433, United States of America) ,  Anders Jason (Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, OH, 45433, United States of America) ,  Leedy Kevin (Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, OH, 45433, United States of America) ,  Schuette Michael (Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, OH, 45433, United States of America)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 12  ページ： 124002 (12pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaZnO(IGZO)は,直流および高周波(RF)スイッチング応用で使用される薄膜トランジスタ(TFT)の優れた半導体材料であり,特に,広範囲の基板上に低温で成長することができる。InGaZnO_4の組成を有するIGZO薄膜を堆積し,今日まで多くの応用のためのTFTのチャネル層として使用した。しかし,IGZO組成も容易に変化し,それらの性質を変えることができる。IGZOのこれらの異なる組成は,異なる欠陥特性を有する可能性がある。本研究では,パルスレーザ蒸着(PLD)によるIn_2O_3:Ga_2O_3:5ZnO(In_2Ga_2Zn_5O_11)の組成によるIGZOの成長とその電子欠陥を熱刺激電流(TSC)分光法によって研究した。成長したままの試料は0.62eVのDC活性化エネルギーと約0.16~0.50eVの活性化エネルギーと~0.90eVの活性化エネルギーを持つ4つの主要なトラップを有することが分かった。PLD成長IGZO薄膜の電気的性質と深いトラップは,試料に適用したバイアスと光曝露のような熱履歴と測定条件のような後処理条件によって変化することが分かった。これらの条件によって誘起された不安定性は,構造的および化学量論的特徴によって説明でき,構造中のZnO_4四面体およびGaO_6八面体は,酸化または還元によって歪になり,その結果,異なる欠陥状態が変化し,そして/または,歪みからの格子エネルギー変化が観察された。本研究は,TSCに関連した電流ベーストラップ発光が,高抵抗半導体材料における電子欠陥を効果的に明らかにすることができ,特に,深準位過渡分光法のようなキャパシタンスベース技術に従わないもの,IGZOにおけるトラップ不安定性を研究するための効果的な方法を提供することを実証した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  低温 ,  *電流 ,  *薄膜 ,  発光 ,  電気的性質 ,  薄膜トランジスタ ,  半導体材料 ,  酸化亜鉛 ,  化学量論 ,  *熱刺激電流 ,  *深い準位 ,  熱履歴 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (10件)： 熱刺激電流 ,  分光法 ,  研究 ,  PLD ,  成長 ,  IGZO ,  薄膜 ,  深い準位 ,  欠陥 ,  不安定性