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J-GLOBAL ID：202002256765234904   整理番号：20A2448661

トンネリングと熱電子放出機構の線形性/相互変調歪解析;設計提案と高周波研究【JST・京大機械翻訳】

Linearity/intermodulation distortion analysis of tunneling and thermionic emission mechanisms; design proposal and high frequency investigation

著者 (5件)： Yadav Shivendra (RGM College of Engineering and Technology, Kurnool, AP India) ,  Khare Anuj (Indian Institute of Information Technology, Design and Manufacturing, MP India) ,  Anju (National Institute of Technology, Raipur, CG India) ,  Mishra Guru Prasad (National Institute of Technology, Raipur, CG India) ,  Aslam Mohd. (RGM College of Engineering and Technology, Kurnool, AP India)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 10  ページ： 105021 (8pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,熱電子放出とトンネル輸送が一緒にもたらされるとき,デバイスの直線性/相互変調歪,高周波,および内部物理的挙動を研究する機会を提供する。電気的にドープしたトンネル電界効果トランジスタ(C-ED-TFET)における従来の水平トンネルと共に,付加的な電子源(AES)によってチャネル内に熱イオン発光を垂直に配置した。結合機構(トンネルおよび熱電子放出)は,C-ED-TFETの線形性パラメータにおける劇的な改善を提供する。さらに,キャリア輸送の複合機構は,個々の現象と比較して,より良い線形性だけでなく,DCと高周波特性を劇的に改善した。熱電子放出キャリア輸送は,純粋なトンネルと比較して,より高い漏れ電流をもたらすことが明らかになった。したがって,AESの存在は漏れ電流の上昇を引き起こす。したがって,最先端の仕事関数工学の最終状態では,OFF状態のチャネル領域におけるポテンシャル井戸の形成により漏れ電流(1×10-18Aμm-1)の低減を提供する制御ゲートに応用される。さらに,最終提案は短いドレイン電極も備えており,TFETの負のコンダクタンス(固有問題)の抑制に有益である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 仕事関数 ,  *トンネル効果 ,  発光 ,  *HF【周波数】 ,  *熱電子放出 ,  ドーピング ,  漏れ電流 ,  電子源 ,  線形性 ,  チャネル ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  高周波特性 ,  *相互変調歪 ,  トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (9件)： トンネリング ,  熱電子放出 ,  線形性 ,  相互変調歪 ,  解析 ,  設計 ,  提案 ,  高周波 ,  研究