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J-GLOBAL ID：202002257340912475   整理番号：20A2648343

SiCパワーMOSFETにおける前駆破壊キャリア増倍を特性化するための軟ガンマ線の利用と中性子照射で測定したTCR故障率との相関【JST・京大機械翻訳】

On the use of soft gamma radiation to characterize the pre-breakdown carrier multiplication in SiC power MOSFETs and its correlation to the TCR failure rate as measured by neutron irradiation

著者 (2件)： Ciappa Mauro (ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory, CH-8092 Zurich, Switzerland) ,  Pocaterra Marco (ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory, CH-8092 Zurich, Switzerland)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 114  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,予備絶縁破壊条件下での商用でパッケージしたSiCパワーデバイスにおけるキャリア増倍の非侵襲的特性化のために高エネルギーγ線を用いる場合,遭遇するいくつかの問題を解明した。この範囲に対して,Am241(59.9keV)のソフトガンマ発光が利用され,これは,以前の研究で使用された60CoおよびCs137放射性γ線源よりも,より高い信号発生およびセンシングビームのより効率的なコリメーションを提供する。異なるバイアス条件下で2つの異なるSiCパワーMOSFETでキャリア増倍係数を測定し,高エネルギー源から得られた値と比較した。中性子照射で測定した単一イベントバーンアウト(地上宇宙線放射)に対する文献故障率データを,Am241源で測定した増倍係数と関連付けた。最後に,予備方向を,運転条件下のデバイスに対するバイアス緩和因子を定義するためのインジケータとして増倍係数の使用に発行した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 宇宙線 ,  γ線 ,  絶縁破壊 ,  *中性子照射 ,  発光 ,  *故障率 ,  セシウム ,  *MOSFET ,  *炭化ケイ素 ,  コリメーション ,  γ線源 ,  増倍係数 ,  緩和現象 ,  信号発生
準シソーラス用語： 高エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (9件)： SiC MOSFET ,  SEB ,  SEGR ,  故障率 ,  減速因子 ,  放射性ガンマ線源 ,  Am□241 ,  60Co ,  Cs 137

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (10件)： SiC ,  パワーMOSFET ,  破壊 ,  キャリア ,  特性化 ,  軟ガンマ線 ,  中性子照射 ,  TCR ,  故障率 ,  相関