文献

J-GLOBAL ID：202002257789241806   整理番号：20A1884094

4層グラフェン/六方晶窒化ホウ素ヘテロ構造に基づく量子ドットデバイスの作製と特性評価

Fabrication and characterization of quantum dot devices based on tetralayer graphene/hexagonal boron nitride heterostructures

著者 (8件)： Iwasaki Takuya (International Center for Young Scientists, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Kato Taku (Department of Electrical and Electronic Engineering, Nihon University, Koriyama, Fukushima 963-8642, Japan) ,  Ito Hirohito (Department of Electrical and Electronic Engineering, Nihon University, Koriyama, Fukushima 963-8642, Japan) ,  Watanabe Kenji (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Taniguchi Takashi (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Wakayama Yutaka (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Hatano Tsuyoshi (Department of Electrical and Electronic Engineering, Nihon University, Koriyama, Fukushima 963-8642, Japan) ,  Moriyama Satoshi (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 2  ページ： 024001 (5pp)  発行年： 2020年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 六方晶窒化ホウ素でカプセル化された4層グラフェンヘテロ構造に基づく量子ドット(QD)デバイスの低温キャリア輸送特性について報告する。単一ドット形状を持つデバイスでは,確率的Coulomb遮断を示し,直列/並列で互いに結合した多重ドットの形成を示唆した。垂直磁場の下で,重なりCoulombダイヤモンドはゼロバイアス電圧で持ち上げられ,充電エネルギーは減少する。これらは多重ドット挙動の抑制を意味する。著者らの結果は,数層グラフェンQDにおける単一電子輸送に関する層間相関の研究への道を開いた。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *量子ドット ,  *窒化ホウ素 ,  六方晶系 ,  *電子装置 ,  グラフェン ,  キャラクタリゼーション ,  輸送現象 ,  ダイヤモンド ,  バイアス ,  キャリア輸送 ,  電子輸送 ,  *量子デバイス ,  *六方晶窒化ホウ素 ,  鉱石 ,  宝石
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  輸送特性

分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 4層 ,  グラフェン ,  六方晶窒化ホウ素 ,  ヘテロ構造 ,  量子ドット ,  作製 ,  特性評価