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J-GLOBAL ID：202002258005975844   整理番号：20A0811448

MTM反ヒューズa-Si膜の電気的性質に及ぼすイオン注入修飾の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Ion Implant Modification on Electrical Properties of MTM Antifuse a-Si Films

著者 (6件)： Xiao Z. Q. (Key Laboratory of Radiation Hardened Integrated Circuit, China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute, Wuxi, China) ,  Hong G. S. (Key Laboratory of Radiation Hardened Integrated Circuit, China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute, Wuxi, China) ,  Liu G. Z. (Key Laboratory of Radiation Hardened Integrated Circuit, China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute, Wuxi, China) ,  Wu J. W. (Key Laboratory of Radiation Hardened Integrated Circuit, China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute, Wuxi, China) ,  Wu S. Z. (Key Laboratory of Radiation Hardened Integrated Circuit, China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute, Wuxi, China) ,  Zhu S. L. (Key Laboratory of Radiation Hardened Integrated Circuit, China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute, Wuxi, China)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 20  号： 1  ページ： 146-151  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Poole Frenkel(P-F)放出,Fowler Nordheim(F-N)トンネルおよびOhm輸送モデルの基礎理論に基づいて,a-Si誘電体層の絶縁破壊電圧(BV)と漏れ,I-Vおよび加速応力試験(AST)特性の間の線形関係を,製造した金属-金属(MTM)反融合セルによって詳細に解析した。a-Si膜の非晶質化度に及ぼす異なるイオン注入条件の影響をX線回折(XRD)により特性化した。一方,a-Si薄膜の電気的性質に及ぼすアニーリングとイオン注入プロセスの影響を研究した。最後に,E15Si,ArおよびSiF_3イオンの注入が,a-Si膜の更なる非晶質化を促進し,BV均一性を効果的に改善し,漏れ電流を低減し,MTM反融合セルの信頼性を強化することを見出した。特に,SiF_3イオン注入は,主に強い負のFイオンによって大きく上昇するa-Si導電性バンドに起因する,2桁のMTM反融合セルの漏れ電流を減少させることができ,それは,a-Si/金属界面のポテンシャル障壁の増加をもたらす。したがって,SiF_3イオン注入プロセスがa-Si膜の改質を促進することができることをさらに証明することができた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気的性質 ,  アモルファス化 ,  漏れ電流 ,  信頼性 ,  薄膜 ,  ポテンシャル障壁 ,  界面 ,  誘電体 ,  *イオン注入 ,  線形性 ,  X線回折 ,  導電性 ,  *ヒューズ ,  焼なまし ,  キャラクタリゼーション

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： MTM ,  ヒューズ ,  Si膜 ,  電気的性質 ,  イオン注入 ,  修飾