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J-GLOBAL ID：202002258876386057   整理番号：20A0191197

絶縁ゲートバイポーラトランジスタモジュールの電気-熱パラメトリック劣化モデル【JST・京大機械翻訳】

An electro-thermal parametric degradation model of insulated gate bipolar transistor modules

著者 (5件)： Liu Xiangxiang (State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment, Hebei University of Technology, Tianjin 300000, China) ,  Liu Xiangxiang (Center for Advanced Life Cycle Engineering (CALCE), University of Maryland, College Park, MD 20742, USA) ,  Li Lingling (State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment, Hebei University of Technology, Tianjin 300000, China) ,  Das Diganta (Center for Advanced Life Cycle Engineering (CALCE), University of Maryland, College Park, MD 20742, USA) ,  Pecht Michael (Center for Advanced Life Cycle Engineering (CALCE), University of Maryland, College Park, MD 20742, USA)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 104  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は様々な応用に広く使われており,それらの多くは安全である。IGBTの故障はコンバータの故障のかなりの部分を占める。電熱モデルは,電力電子部品とモジュールの接合温度を予測するのに有用である。モデルパラメータは分解により変化するが,そのようなモデルのパラメータは文献や部品文書において容易に利用できない。本研究では,パラメータ,ソース電圧,接合温度,ゲート電圧,コレクタ電流,ゲート抵抗および周波数の種々の組み合わせを開発し実行し,これらの実験結果から電熱モデルパラメータを導出した。劣化によるスイッチング電力損失と熱抵抗の変化を,温度と電流を組み合わせた加速エージング実験から導出した。結果は,9000サイクルの期間にわたる熱抵抗の劣化が,元の接合およびケース温度差と比較して,接合温度を20%以上増加させることができることを示した。金型レベルでの劣化は,同じ作動条件下での元のスイッチング電力損失と比較して,スイッチング電力損失の50%の増加を引き起こすことができる。電気熱モデルとパラメトリック劣化モデルを正弦パルス幅変調(SPWM)シミュレーション回路に適用し,劣化後の温度予測の精度を改善した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱劣化 ,  *IGBT ,  電流 ,  PWM【信号】 ,  電気加熱 ,  電子部品 ,  変換器 ,  スイッチング ,  電力 ,  シミュレーション ,  熱抵抗 ,  電圧
準シソーラス用語： 熱モデル ,  電力損失 ,  接合温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 熱劣化 ,  電気的劣化 ,  IGBT ,  電気-熱モデル

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ ,  モジュール ,  劣化モデル